Boost电路参数的一些问题

Joen0_0

最近在理解电感的参数/特性，以boost电路来说，mos管开启的时候，Vin对电感充电。
7 U, b2 h8 T1 D+ l看了一篇boost电路的介绍，看到mos管电流如下图，觉得奇怪，像是电感充电阶段的电流全部流入GND，这样的话，boost的效率不是很低？
& s# c! B" R8 l7 S- l& g& ~1 I

9 Z8 F' d; W, P: n' o但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93%
+ D2 I9 E8 D6 |  k& Y
( D" p0 _6 K3 l6 ~* q! q: h7 f所以想问一下
* P! l9 G6 |4 Z; z0 Q/ N( s( r1.一般来说，boost电路电感充电的时候，电流是不是基本不经过MOS到GND？不经过MOS管到GND好像没有完整的回路，这个应该怎么去理解这个电路行为？
1 w- g% ^: M1 s0 F( k* n2 X- ?2.如果确实如上图所示，有较大一部分电流流经MOS到GND，这个有计算公式或者资料推荐么？那效率是怎么做上去的？
" ^" o8 h; b: w& l0 ~3 f, l
. M3 p! ?. ~, w% }

yff014250

看一下电路分析

anguchou

:):)

mgcz5566

感谢分享

付显品

学习

付显品

感谢分析

Joen0_0

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39
. V. E/ o- h8 x. U& C6 ^( U请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

1 e' \* s4 c2 f
! f% p$ s$ @- _  X( u% ?多谢????

( a7 h. Q; q% h* y& V5 a9 C

sunny哥

学习

jacky401

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

Joen0_0

2 I" F, e+ P1 q9 Y' e* {  U& R& C' T
# j3 M" {. Z! Z4 W) w0 Y. M: I% ^2 J) O看一下电感两端的波形，理想值：VL =VS，电感上的功率P=IxVs，相当于全部功做在电感上
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧，不知道有没有大神有相关的资料可以看看

Joen0_0

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
...

哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
, S- G. P+ L6 r% d没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
  R( _* `4 c3 g  d- f4 v; M; i多谢
) V+ s9 o: ^$ p8 o8 V

上山砍柴

学习学习

curry_wang

4 @3 s3 f' v/ L; `) k; `# X
8 }2 C0 i% A0 C感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
, k% n, B9 p$ j1 z/ P1 m, ^2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通 开关损耗。
) p* c% ^- h6 a! j8 N3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。    所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。

hyz12888

学习

wu6886

看看
6 C! M2 k3 v( ?( V$ k( p