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1#
发表于 2009-3-9 20:10 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 lzhcqu 于 2009-3-9 20:38 编辑 8 q. u# d3 f  ]2 O5 ?

$ `1 q; n- N5 V3 O  Y0 z+ S
1. 电源层和地层之间的EMC环境较差,应避免布置对干扰敏感的信号

6 Y, ~3 K- o$ F8 h4 J  a$ L7 g
9 z9 }) H+ B+ ?; x$ M' ~4 E6 D2 |( W. }; W6 {# V

: j( V  ]0 A% g. U
在网上看到的

3 j) E. L) o- f- l/ p7 Q: e; M- O3 k+ r! z) V

1 @1 W1 Q$ u4 w! }$ L8 ?$ V$ I: G
但是以前看到过说这层电磁屏蔽效果好,应该走高速信号
3 O. L# ]2 z3 z

, T* B% V! j8 n* U" G, q. K5 V) S% s2 z$ U
不知道到底那种说法对

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8#
发表于 2009-3-12 09:17 | 只看该作者
没有对错之分 一句空泛的话

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7#
发表于 2009-3-10 20:16 | 只看该作者
所谓“背钻”就是把过孔的STUB钻掉啊!从反面用大一点的钻头,对工厂的工艺能力要求很高,主要是为了消除过孔的stub

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6#
发表于 2009-3-10 18:13 | 只看该作者
这样的话就得看你的系统要求了,EMC要求高的话就走内层,尽量拉大信号层和电源层的距离,表层在电源分割的地方加些跨分割电容,同时信号的过孔处放置几个GND的过孔,成本要求不高的话可以考虑用背钻来提高信号的质量 ...) d  k7 e6 [3 S# f
yxx19852001 发表于 2009-3-10 16:35

5 j+ B- K3 {5 e6 e1 ~: Q1 B9 c! u" x4 D" T, j7 V- ^: K) E; s
请问什么是“背钻”

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5#
发表于 2009-3-10 16:35 | 只看该作者
这样的话就得看你的系统要求了,EMC要求高的话就走内层,尽量拉大信号层和电源层的距离,表层在电源分割的地方加些跨分割电容,同时信号的过孔处放置几个GND的过孔,成本要求不高的话可以考虑用背钻来提高信号的质量。+ ?. f1 U0 V6 `1 c2 |7 {, g
如果对EMC要求不是很严的话,高速信号也可以考虑走表层,这样还可以避免过孔效应

评分

参与人数 1贡献 +30 收起 理由
forevercgh + 30 感谢对于本版的长期支持

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4#
 楼主| 发表于 2009-3-10 14:11 | 只看该作者
我的电源层要分割$ I; O7 m: a; X
3.3V# [4 ~/ m% H/ \1 h" Y2 f
1.4V

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3#
发表于 2009-3-10 12:42 | 只看该作者
得看你的电源层的情况了,如果你的电源层很干净,是个整平面,同时离你的信号层的距离比较远的话是没有问题的,在电源层和GND层之间走信号层时,尽量让你的信号平面靠近你的GND平面,同时要特别注意你的电源层的分割

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2#
 楼主| 发表于 2009-3-9 20:51 | 只看该作者
现在网上的资料满天飞
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