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LDMOS是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射射频信号，因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。 一、LDMOS器件电学特性在线测试 1、阈值电压测试0 g' w" A( {$ f" ]6 c+ L, P v
2、击穿电压测试
7 T7 u$ r5 p; a+ X6 u3、输出特性测试7 P, n9 w! [: T- c5 Q/ f& H
二、LDMOS器件负载牵引阻抗参数测试 1、负载牵引测试系统的构成. v$ I. y; h; W5 T9 l
2、TRL校准/ U6 h$ Z5 y7 A$ W( w2 Q, E6 h0 C: b1 y
3、LDMOS器件阻抗参数测试
0 y: U1 ^& d' J2 Q' n2 e, Q* J
+ V; n9 w% ?9 z* S# K. l3 x- I }: w8 ?7 W, y( W0 ~) U
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发表于 2018-9-18 09:38
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