MOSFET管抗静电击穿能力。

六画玄辉 · 发表于 2018-3-13 15:15

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请教下，我用APEC的MOS管，经常出现MOS管不知不觉就损坏的，我怀疑是被静电击穿，现在我想更换，不知道哪个参数决定着MOS管的抗静电击穿能力

上海轻骑兵 · 发表于 2018-5-18 17:21

受益匪浅!!!

alienware · 发表于 2018-5-6 12:26

PN结击穿

yuantao135 · 发表于 2018-3-23 11:03

学习一下

zhangqing · 发表于 2018-3-16 11:42

学习来了

xiaojiguohe · 发表于 2018-3-16 10:52

看看学习下

深圳—allegro · 发表于 2018-3-15 18:35

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lingnanhu · 发表于 2018-3-15 09:12

看手册，估计是你的设计问题，特别是VGS，很多人设计都是把G极直接拉到0V 通断。这样在控制高电压时候，很容易造成VGS超过规格书要求造成损坏！

jkokomo · 发表于 2018-3-14 23:30

會是inrush current的關係嗎？

灰狼 · 发表于 2018-3-14 10:01

在你怀疑的点加ESD试试

无聊搞飞机 · 发表于 2018-3-14 09:56

看手册

超級狗 · 发表于 2018-3-13 22:36

本帖最后由超級狗于 2018-3-13 22:38 编辑

Aubrey 发表于 2018-3-13 16:32" x& m7 p, Y) z7 g
什么型号？设计上是否合理、能否上图？

他是「合理」的懷疑！（簡稱「莫須有」）

深圳—allegro · 发表于 2018-3-13 20:01

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Aubrey · 发表于 2018-3-13 16:32

什么型号？设计上是否合理、能否上图？

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深圳—allegro 深圳—allegro 当前离线积分 167 头像被屏蔽该用户从未签到	9^# 发表于 2018-3-15 18:35 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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