Ken的博客系列之三 | 千兆位串行链路接口的SI方法

Cadence_CPG_Mkt

8 J: E1 O3 ]1 H6 T6 {  _* {

IBIS-AMI建模

假设我们的PCIExpress Gen 4串行链路，使用初始的PCB走线和过孔模型，其余的缺失部分用于发射器的IBIS-AMI模型，“AMI”表示算法模型接口。正如其名，IBIS-AMI模型具有以传统IBIS (I/O 缓冲区信息规范) 格式定义的“电路”部分和以AMI格式定义的“算法”部分。两者都是完整模型所必需的。

' U" W( {- Z: `! o

该模型的电路或IBIS部分用于描述发射器的电压摆幅、输出阻抗、寄生效应和上升/下降时间特性。这些信息应该在您SerDes发送器的数据表中。假设数据表显示，以50ohm作为参考阻抗，摆幅为1V，单端50欧姆输出阻抗，0.5pF范围内的焊盘电容，以及20ps左右的单端上升/下降时间。采用一个标准的IBIS模型作为开始，是最直接的做法。

9 a! ]( @& B9 _& m. n

初步的IBIS模型

该算法（或模型的AMI部分）用于描述发射器的均衡行为。在PCI Express Gen 4的情况下，这由前向反馈均衡（FFE）或“去加重”组成。FFE将包含多个“抽头”，表示产生去加重行为的main和boost驱动器，boost转换位（例如0到1的转换）和去加重稳定状态位（例如连续的多个1）。这些抽头的作用大小通常用系数来表示，表示与主抽头相比它们的比例系数。

/ A& D1 y& t4 {, z2 U" {: j

含PCI Express预设的FFE和发射器波形

将上述信息作为输入，现在的IBIS-AMI仿真工具通常包括直接生成AMI模型的功能。同样，这些信息通常可以在SerDes发射器的数据表中找到。假如您感兴趣的发射器使用与PCIExpress规范中描述的类似的去加重设置，可以使用如前所述的自动化工具，利用上述的抽头系数快速直接地生成AMI模型。

3 z1 B9 h% V" }0 ?! l/ H+ b
# g" i$ z  p: s- m7 Z

下一篇> 启用约束驱动设计

" V8 l1 @/ F4 S( R0 G

/ f. p. O9 q" p3 E% D. d1 \

欢迎您的评论！

您可以通过PCB_marketing_China@cadence.com联系我们，非常感谢您的关注以及宝贵意见。

6 Y8 X; s, w8 o# y

lieshi

太深奥了，看不懂