对MOS管 Rdson理解

tiantangzero · 发表于 2014-4-7 17:05

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各位大神，以下是本人对MOS Rdson的理解，如果错了，请帮忙指出来。非常感谢。

Rdson就是这指MOS管里面的导通内阻。

我们在MOS管的Spec里面，经常可以看到Rdson的描述是：10V 4.5mΩ，就是指在Vgs在10V的时候，DS之间的导通电阻为4.5mΩ.
同时，我们经常在选用MOS管的时候，要考虑MOS管的内阻，因为MOS管在过大电流时候的，MOS功率会根据MOS的内阻和电流决定P=I2R，如果Rdson的内阻太大，就会造成功率过大，同样他的发热就会大，有可能会烧MOS管.例如：主板CPU电压，就要选择比较低Rdson的MOS管，否则功率会很高，themarl会太高.
以上是我对Rdson的理解，不知道对不对？请指点下.tks

zgq800712 · 发表于 2014-4-7 17:55

主板上的CPU功率是根据CPU负载轻重功率大小变化，
现在CPU供电基本上最少多是3路开始的，像微星的一些1800的主板多是12路。
I7 CPU 8,90瓦。电压1.几V 那多要好几十A了，几个MOS显然不够。

高压MOS的Rdson多很大，你rdson 大点也没有关系，比如一般的小开关电源，1，2欧的的Rdson有什么关系呢。 MOS管功率电流大，你的散热也要跟的上来。那些负载仪，大的恒流多有很大的一块散热，多个MOS并接。

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