关于外扩flash擦除的问题

lpfzhx · 发表于 2013-1-5 15:15

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x

FLASH擦除程序：
Uint16 ChipErase(void)
{
Uint16 Data;
Uint32 TimeOut,i;
/***********以下过程需要严格遵守**************************/
*(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; //需要对FLASH的0x5555单元写0xAAAA
*(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; //需要对FLASH的0x2AAA单元写0x5555
*(FlashStart + 0x5555) = 0x8080; //随后对FLASH的0x5555单元写0x8080;
*(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; //乊后对FLASH的0x5555单元写0xAAAA
*(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; //需要对FLASH的0x2AAA单元写0x5555
*(FlashStart + 0x5555) = 0x1010; //需要对FLASH的0x5555单元写0x1010
i = 0;
TimeOut = 0;
while(i<5)
{
Data = *(FlashStart + 0x3FFFF);
if (Data == 0xFFFF)
i++;
else i=0;
if ( ++TimeOut>0x1000000)
return (TimeOutErr);
}
for (i=0;i<0x40000;i++)
{
Data = *(FlashStart + i);
if (Data !=0xFFFF)
return (EraseErr);
}
return (EraseOK)
为什么i<5，FlashStart + 0x3FFFF，++TimeOut>0x1000000

超級狗 · 发表于 2013-4-23 20:17

能給閃存芯片資料嗎？

{:soso_e132:}

超級狗 · 发表于 2013-4-23 22:51

本帖最后由超級狗于 2013-4-23 23:06 编辑

應該是一顆 128K x 16 的閃存，Word Address = 0x3FFFF 是最後的位址。

FlashStart + 0x3FFFF0 L$ A; V" z; X2 g' V
是閃存最後一個位址，這要看 CPU 定址，因為有的 CPU 定址是 Internal ROM 或 RAM 在前面，所以閃存位址會有一個 Offset，FlashStart 就是 Offset。
i < 54 g0 ?5 q( R3 y8 ]$ T+ u2 Y! E
要讀到 5 次最後一個位址的內容等於 0xFFFF 再往下做，閃存內容被抹除後是 0xFFFF。下一段是檢查 0x00000 ~ 0x3FFFF 整顆閃存是否有被清除乾淨。
++TimeOut > 0x10000009 q1 [3 p6 X. p# z9 H/ s
i < 5 的迴圈檢查要設一個計數器，不然閃存有問題無法抹除，程序就會卡死。執行太久，發現最後一個位址都無法清除就不要再做了，回應 return (EraseErr) 告訴主程序閃存有問題。
6 t' e+ L% _- E! D* f. X: P7 ~) s

{:soso_e125:}

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