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怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态?有哪些简单的办法可以量测出来

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 楼主| 发表于 2025-4-7 19:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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发表于 2025-4-8 07:40 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:42 编辑
2 H+ w9 E( I6 L$ g+ h; ?
; }# q8 c0 w3 G0 K
MOSFET 工作在飽和區Saturation Region的條件是:, n$ {4 `" k' `

; U' ~  O* y2 lVDS VGSVth
& _- d  n6 }9 [! D+ v# ^
其中:
  • VDS​:漏極對源極的電壓
  • VGS​:閘極對源極的電壓
  • Vth​:MOSFET 的臨界電壓Threshold Voltage
    : C8 F7 W' V- F& j3 r

    . A. S0 H+ s, G' w
- z' |$ w: O. e, E

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  发表于 2025-4-8 14:27
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V 按这个说法,gs给10V,d没有电压不算导通吗?  详情 回复 发表于 2025-4-8 08:29

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发表于 2025-4-8 11:01 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:03 编辑
2 t% c. T0 R- `( N0 T
超級狗 发表于 2025-4-8 07:48. R0 K- S  z: ?6 ~0 O
暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔!
+ ]3 Z1 E; f0 g: J  x) I. e
& F" S' K+ u+ t7 o9 q! A原文

* m4 p3 x" W7 G# v2 [7 ~暗蝦密On-Semiconductor)文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!6 R# N: d0 e. B9 A* x
& y2 E; @8 x1 x: i4 M7 V. R9 f
3 K5 h; B3 m0 F

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg (46.94 KB, 下载次数: 10)

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg

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  发表于 2025-4-8 14:30

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发表于 2025-4-8 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:41 编辑 . `! ]& w& A7 D* C  G( y" J$ T
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:340 q6 }2 J. ~* }
我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。
' O! Q! ~$ T5 V( P5 {& Y以nmos常规应用low side为例,导通后d ...

2 }# ^8 s8 j0 @4 w% ]5 y6 GMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMUSource Meter Unit)。
/ W& q& y- W0 o
5 L, O) M2 F, J5 D  [& r: U了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。
, `" S1 l' f  M4 b+ {( c1 h& w! W* A- V  _8 f+ c& N: r5 o) r
狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!4 C$ T6 q: z7 L' x# h
/ _0 A. g1 n% h9 @7 V& N

5 I; p" U: v2 l# P) Q) S' b  Q

MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg (34.86 KB, 下载次数: 16)

MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg

1KW-60515-0 PowerSupply Design Poster.pdf

414.68 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

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好漂亮的畫面!  详情 回复 发表于 2025-4-8 13:10

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发表于 2025-4-8 10:11 | 只看该作者
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
! Q  G4 J, ^% v+ b) b5 F0 U我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。; @; l5 Z& Y% c  H
以nmos常规应用low side为例,导通后d ...

. y# D5 G8 y  k. y* d) h2 C你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
% q/ {$ s7 c% Y6 P比如电子负载3 d8 L5 V8 @" l2 I" ]$ D

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我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性  详情 回复 发表于 2025-4-11 14:31

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6#
发表于 2025-4-8 07:48 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:56 编辑
% B# T0 ^5 u; I' ^
1 r- z. l9 @4 q+ Y) C) S; e暗蝦密On-Semiconductor)的文檔!! a4 R. `' F/ j) X

3 R4 H. m5 E4 b0 I原文: P! {8 r3 X5 K5 g1 a
MOSFET saturation mode is defined as operation with high VDS, specifically where VDS > (VGSVth).8 E: b- o& h) ^
/ C$ d' x: B+ j' T6 g

; i6 a% Q1 I3 m- E* W( [& H; |2 d0 ~- H- ^9 A( @0 z

AND90187-D.PDF

1.91 MB, 下载次数: 13, 下载积分: 威望 -5

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暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!  详情 回复 发表于 2025-4-8 11:01
安森美????  发表于 2025-4-8 08:55

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7#
发表于 2025-4-8 08:29 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
5 b+ m3 s7 `) U- ^( _" IMOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:
- j! _7 ], t' y0 a2 Q9 V0 I( {* \  A% z( \
V ≥ V​ − V​
6 b& A; ^2 M/ a6 b' b, j
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V
9 R: Y0 N* `6 i; f7 X6 ~按这个说法,gs给10V,d没有电压不算导通吗?
% D! d2 s$ s/ }% x" Z0 @

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通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:29
  • TA的每日心情

    2025-7-22 15:01
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    8#
    发表于 2025-4-8 09:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-4-8 08:299 @) s+ k) `6 g3 k# B: S
    涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V1 h8 b7 o$ r2 S) Q2 L0 q; A! ]
    按这个说法,gs给10V,d没 ...

    ' _3 Z7 r/ B+ i' J) U% J通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
    ! n: @5 B( s+ @! w% v2 o1 I$ H

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    我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。 以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:34

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    9#
    发表于 2025-4-8 09:34 | 只看该作者
    Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
    # @6 n  D' `9 E通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流 ...

    * o2 p7 G5 x& F+ ?/ k7 [我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。/ r9 O3 p. c0 b
    以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的# U9 x0 {5 V: y# R/ f1 X% @: T

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    Vgs > Vth后,Vds < Vgs - Vth 是线性区,Vds ≥ Vgs - Vth才是饱和区。  详情 回复 发表于 2025-5-15 10:44
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Sorce Meter Unit)。 了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。 狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:38
    你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。 比如电子负载  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:11

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    10#
    发表于 2025-4-8 13:10 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
    6 [# p4 v5 n' u9 _! e* oMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Source Meter Unit)。
    . P2 W5 G, R* a/ S5 W' j/ S( d$ Y. e7 c8 ]! K$ Y! x
    了解這些參數是怎 ...

    0 T6 n: Y# p. I5 c2 l好漂亮的畫面!
    4 [. t0 r8 a9 t
    $ l/ T8 J7 ~. @& f( A/ ^. A

    Keithley SMU.jpg (41.84 KB, 下载次数: 12)

    Keithley SMU.jpg

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    谢谢分享!: 5.0
    这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。 实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通  详情 回复 发表于 2025-4-8 18:59
    谢谢分享!: 5
      发表于 2025-4-8 14:31
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    11#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:28 | 只看该作者
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    12#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:32 | 只看该作者
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    13#
    发表于 2025-4-8 18:59 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
    2 @9 B, i( ]( w* _/ s5 X+ H) @好漂亮的畫面!

      @# @$ m9 k3 I7 M/ d& H2 R/ ^这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
    / S5 u0 j1 e* |. g, z( K2 F实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通; y% b6 Y7 e2 x

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    谢谢分享!: 5.0
    谢谢分享!: 5
    以後哥就叫「暴龍」了!^_^  发表于 2025-4-9 12:00
  • TA的每日心情

    2025-7-22 15:01
  • 签到天数: 8 天

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    14#
    发表于 2025-4-11 14:31 | 只看该作者
    myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11; N7 d% W8 \1 O* ^$ S9 L
    你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
    6 e1 @- f' z  A  b& u. `  b5 R比如电子负载

    0 `1 O. _. Q7 r! Y9 e4 O: |我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
      @$ ]- s+ _8 c  ^* Z/ H8 M- ?

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    15#
    发表于 2025-5-8 18:06 | 只看该作者
    路过,看不懂。

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