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本帖最后由 岁月如歌21 于 2025-10-11 16:41 编辑
2 P' u, {, Y5 J) R- |" y$ r" I( a( H
省电模式，I/O口如何设置才省电，进入主时钟停振/省电模式前：
6 ^0 v: Y7 d" E3 q- n7 z% \) ^===主时钟停振/省电模式，STC8/STC32系列如何省电; v* k% B$ v$ Q; A* ]
1, 不用的I/O口，就是浮空的I/O, 设置为高阻输入，并关闭数字输入，也不怕短路了- c; f2 V# _8 V# q' r
但不是所有的芯片，所有的I/O都设计了【禁止数字输入寄存器】，
) s% ]3 Y0 k: l* i G; M 具体要看 特殊功能寄存器 章节 具体型号，有没有这个【禁止数字输入寄存器】，
& z; W2 f% ^# c) R! N: p5 Y 没有，那 不用的I/O口，建议设置为【准双向口并对外输出高】
, H4 k* i: }/ M6 g. j; w; L4 b2，用作模拟输入的口，一般是配置成高阻输入，也必须关闭数字输入" V& A8 ]& G5 ~
===指用作 ADCx外部模拟输入的I/O2 J4 J- r- M Y `: |3 X4 c( W: q! ^
===指用作 比较器外部模拟输入的I/O$ }( w4 d" i2 `6 Z
===省电模式时，他外部来个 1.5V 附近变化的电压，
, ]5 n7 O8 I' s5 [! @0 U3 D9 L 数字部分不关闭数字输入可能就会产生额外的功耗
: n6 t2 U7 T& n0 D) X! D3，用作高阻输入的I/O, 也必须关闭数字输入
! O7 ?% O+ O& N0 W% [7 m 如你I/O外部的输入电平Vx在 【不是逻辑高的电压，也不是逻辑低的电压】7 o/ @+ ^% M7 [' @1 d) R: T% Y
这时内部数字输入电路就会有翻转，就会有几十uA的功耗
/ \, P* ]+ e0 N& Z5 w8 \# M 关闭数字输入，就不会有功耗
8 d0 g$ N$ Q; W6 e
% y4 E' _+ k# Z; o+ C: z |' t4，I/O外部是高电平的，你如要工作在输出，你就置高
& h1 P# K) d- m2 E6 ]% } I/O外部是低电平的，你如要工作在输出，你就置低
7 p% C0 p. x0 H6 v' ]( V: D 否则两边的电平电位不同，就会水往低处走，有电流流进或流出# W( l6 t9 T1 w% z8 O
4 \2 K& O( `6 M1 J3 e6 O( G# A% B
如你I/O外部的输入电平Vx在 mcu_Gnd < Vx < MCU_VCC# A* r3 \; N$ s9 n0 v0 Z, u) f, M
这时工作在输出，也会有电流流动
# P, [9 m1 \" R* Z _6 _ 所以进省电模式前，必须改设置为高阻输入，并关闭数字输入
0 q8 K; a; R" x- f: L5 A# b+ _4 @& \% Z% u, G- ~) R
5，如有启动RTC/实时时钟功能，在省电时工作的MCU, 【P1.7/XTALI, P1.6/XTALO】6 J* H! ^% I1 {% q
【P1.7/XTALI, P1.6/XTALO】- 接外部32768-RTC晶振，
. |, c1 }$ F( d2 i+ }. E6 ~ 这2个口上电默认是高阻输入，可用户程序配置为高阻输入
7 e* N. \! I! t3 w! O 这个场景有外部32768晶振在振荡，省电模式时必须保持高阻输入，' G; O+ q* G, ~2 Y$ X
===并必须关闭数字输入，否则浮空的口，外部不停的在变化，就会产生额外的功耗
) q7 D4 a: s, L: U9 K* u* O7 z1 P( j
6，MCU如有 ADC_VRef+， ADC_VRef+ 不能浮空，否则也会产生额外的电流* V/ Q) ]# w$ C5 W# ^
* k! l9 T7 t' Y) y
总之，省电模式时，I/O尽量 高阻输入并关闭数字输入7 _% x Z D. n: T" _; g' V
: Z8 K/ Y+ ?$ N: X" l; i# K7 n9 N
主时钟停振/省电模式，只是没时钟了8 B3 G* f% E" i5 R* u
===RAM保持不变' s" R7 G0 d+ |1 ?0 m! w2 L/ I
===寄存器保持不变
3 I& a, t* C# H, r1 d% b7 N0 Y& ]. T===I/O 保持不变，因为I/O口的相关寄存器保持不变. W* u% U" Y. e
9 q; s8 [3 a; j/ |7 N& O& L, o
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发表于 2025-10-17 15:41