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怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态?有哪些简单的办法可以量测出来

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1#
 楼主| 发表于 2025-4-7 19:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态?有哪些简单的办法可以量测出来
+ X7 C; e6 X7 s7 Q2 _

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发表于 2025-4-8 07:40 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:42 编辑
* [, q. {+ N7 f6 I
" G8 q( p( d3 S7 y0 c, R
MOSFET 工作在飽和區Saturation Region的條件是:" Z, I9 C3 Y- y6 D* G- @8 c
) ^2 Z- n1 n$ |; o0 b" o
VDS VGSVth
- Q4 r' \; I, r" j- o, j
其中:
  • VDS​:漏極對源極的電壓
  • VGS​:閘極對源極的電壓
  • Vth​:MOSFET 的臨界電壓Threshold Voltage/ Q! `( ^* a3 s

    9 u! T, b* F, b$ ~6 Z7 H

/ _& n% x1 \: @

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反对!: 5.0
如果不符合这个条件 就是没饱和咯  详情 回复 发表于 2025-4-8 14:32
点成反对了。。。  详情 回复 发表于 2025-4-8 14:28
反对!: 5
  发表于 2025-4-8 14:27
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V 按这个说法,gs给10V,d没有电压不算导通吗?  详情 回复 发表于 2025-4-8 08:29

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发表于 2025-4-8 11:01 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:03 编辑
5 I; t1 m3 H9 |* ~. n6 ~
超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
; S5 F3 J- q8 m  `, u暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔!
. n3 r$ i! L8 a6 k# n: w  @# `  V0 l4 o! l
原文

/ v; M1 b1 h3 y9 ^- F( |暗蝦密On-Semiconductor)文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!7 |/ W3 x: P* y
1 ?+ v# t' t3 u1 _8 g" t- y3 O( B

$ k) {* f8 x" O8 k

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg (46.94 KB, 下载次数: 1)

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg

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  发表于 2025-4-8 14:30

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发表于 2025-4-8 10:11 | 只看该作者
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34" I* X8 ^( T% R& d
我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。5 _$ W6 f7 U$ ]
以nmos常规应用low side为例,导通后d ...
) N# @$ q/ e2 A" t" q$ R
你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。$ q, c* I* z, p. D# @7 g+ S  d7 Z
比如电子负载
; F) o5 t% J; p. N

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我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性  详情 回复 发表于 2025-4-11 14:31

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5#
发表于 2025-4-8 07:48 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:56 编辑 * D1 V7 @. `( j6 _6 n1 `, k; H

+ f+ H7 w0 t3 D! s暗蝦密On-Semiconductor)的文檔!2 y0 J% A9 t/ `) T
5 o' c# F7 c4 j8 s" }6 U
原文
9 X% b) a2 w% u3 _/ ?1 e, H
MOSFET saturation mode is defined as operation with high VDS, specifically where VDS > (VGSVth).
; M1 y, y( r% s( |2 M8 \0 j" R& R( f0 T- s3 y9 f
: z! c: p# n( G4 p" P

2 I* }: e1 Y# Y9 @7 t  p' ^

AND90187-D.PDF

1.91 MB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

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暗蝦密(On-Semiconductor)的文檔裡面的這張圖,也是很不錯啦!  详情 回复 发表于 2025-4-8 11:01
安森美????  发表于 2025-4-8 08:55

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6#
发表于 2025-4-8 08:29 | 只看该作者
超級狗 发表于 2025-4-8 07:403 q- O' c* W& }/ m& E- E3 u
MOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:
( m  w4 ]' O6 O6 j; c9 U+ o1 e7 n/ Z. f  u8 E* p. L
V ≥ V​ − V​
$ |5 T5 H! Z. E* \( t
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V6 a1 j2 z9 G  }7 Y" b( y( J, G
按这个说法,gs给10V,d没有电压不算导通吗?
, H, O0 m, @* Y6 o

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通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:29
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-6-25 15:33
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    7#
    发表于 2025-4-8 09:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
    ! Z8 J; i# }" Y+ b; F* ^; Y/ ^涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V,10V的内阻。信号mos还看个2.5V, w+ c/ d) F- z; {" R6 ~
    按这个说法,gs给10V,d没 ...

    % K6 Q# e6 h2 [2 O通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流通能力达到最大,但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
    1 x* |% U. I6 Z  r8 p; m

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    我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。 以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的  详情 回复 发表于 2025-4-8 09:34

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2025-4-8 09:34 | 只看该作者
    Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29' e& H5 N; e& C* c  W, e. {: U' e
    通肯定是通的,题主不是点名饱和区了嘛,那就涉及mos的输出特性曲线了,Vgs只是让反型层达到最大,此时流 ...

    # R( U# ^1 z) J* w1 ~. j/ @5 s我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。
    $ M  f$ B6 r; J$ I' G! Y, t1 ~以nmos常规应用low side为例,导通后d和s都是gnd,没有电压的
    4 d( i7 q+ ^9 m0 k; x2 `5 |3 m6 V0 ]

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    Vgs > Vth后,Vds < Vgs - Vth 是线性区,Vds ≥ Vgs - Vth才是饱和区。  详情 回复 发表于 2025-5-15 10:44
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Sorce Meter Unit)。 了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。 狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:38
    你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。 比如电子负载  详情 回复 发表于 2025-4-8 10:11

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    9#
    发表于 2025-4-8 10:38 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:41 编辑 , w% S4 p& y: S$ m( S3 K1 W, J
    huo_xing 发表于 2025-4-8 09:346 b' T! K" [) D+ D+ n# r8 r
    我的意思是实际工作中量gs电压就好了,4.5V已经基本是饱和导通。
    ( S8 I/ r7 o! @& y以nmos常规应用low side为例,导通后d ...

    3 a: p7 X& U) _2 K9 ^6 bMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMUSource Meter Unit)。
    # }& _) L/ @8 \$ r% n  R8 [0 w6 b4 z* S- g" B0 z8 \
    了解這些參數是怎麼量測的,就能解開大家的疑惑。
    - L) G8 P9 j9 W! \; x2 p0 u) y- P6 t5 J  d
    狗弟收藏的這篇文章,能算是珍品!; o+ q- y& \3 g, M2 P8 B

    0 y2 x8 q8 r, s, K; @3 g- S. }. q  Z6 A7 Y% P+ e  B3 Y& _  q3 x# D* h

    MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg (34.86 KB, 下载次数: 4)

    MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg

    1KW-60515-0 PowerSupply Design Poster.pdf

    414.68 KB, 下载次数: 6, 下载积分: 威望 -5

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    好漂亮的畫面!  详情 回复 发表于 2025-4-8 13:10

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    10#
    发表于 2025-4-8 13:10 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 10:38  O" Q# r' U5 x2 H+ h( e
    MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的,或稱為 SMU(Source Meter Unit)。& J  m, l$ O3 n* O+ a/ j
    4 t6 A# g; ~" D
    了解這些參數是怎 ...

    8 {7 d' u( V4 m8 h# N& ^; p# R好漂亮的畫面!
    7 _, d9 E1 q2 ^5 ?- L$ m* l3 x3 z1 _- w4 g# z

    Keithley SMU.jpg (41.84 KB, 下载次数: 2)

    Keithley SMU.jpg

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    谢谢分享!: 5.0
    这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。 实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通  详情 回复 发表于 2025-4-8 18:59
    谢谢分享!: 5
      发表于 2025-4-8 14:31

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    11#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:28 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 07:40, g5 ~& f$ K  n+ I) \+ J
    MOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:3 U8 W, j3 R; B0 y9 c
    $ Z9 o7 w/ g( U1 |
    V ≥ V​ − V​
    3 f# }5 ~7 V" s
    点成反对了。。。
      k6 z4 z, C! g% a! @5 [3 }( d

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    谢谢分享!: 5.0
    谢谢分享!: 5
    你儘量反對,人工智能和美帝大廠說的,又不是我講的。^_^  发表于 2025-4-8 14:53

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    12#
     楼主| 发表于 2025-4-8 14:32 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
    7 J8 [8 u! K0 rMOSFET 工作在飽和區(Saturation Region)的條件是:" ?- }+ u  }6 F3 E2 }
    % J7 b. u9 d& j) c3 R% J: T, w
    V ≥ V​ − V​
      ?" l! R8 ^+ \7 X3 Y3 M
    如果不符合这个条件  就是没饱和咯   [3 u7 ^2 K6 Q# g) o

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    谢谢分享!: 5.0
    谢谢分享!: 5
    你問我定義、我就回你定義;想幹什麼、你也從未說過。MOS 管的飽和區和線性區,分別有不同的特性及作用。^_^  发表于 2025-4-10 07:51

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    13#
    发表于 2025-4-8 18:59 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
    0 ]; ?; @- T# ?9 B" c6 j好漂亮的畫面!
    # ~2 X$ l' d9 M% j4 _
    这些理论东西容易误导人,特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。2 D9 I! r( y# V8 @
    实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通" v" d7 X/ Q9 X1 f9 j

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    谢谢分享!: 5.0
    谢谢分享!: 5
    以後哥就叫「暴龍」了!^_^  发表于 2025-4-9 12:00
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-6-25 15:33
  • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I

    14#
    发表于 2025-4-11 14:31 | 只看该作者
    myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11- a5 J8 k( T8 T: d9 S% m" r
    你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。! s- s1 j! f0 Z7 O
    比如电子负载
    ; [8 ], g# g4 E
    我其实也是这个意思,饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景,只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
    5 C8 ~5 a4 m1 v. I( y4 t

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    15#
    发表于 2025-5-8 18:06 | 只看该作者
    路过,看不懂。

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    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 坦白從寬,抗拒從嚴!

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