请问晶振负载电容和晶振两边的电容有何不同？

taobao322 · 发表于 2023-2-3 10:00

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请问晶振负载电容和晶振两边的电容有何不同？比如我看到11.0592的晶振两边的电容是30pF，请问这个30pF是怎样计算出来的？计算公式是什么？

超級狗 · 发表于 2023-2-6 07:00

Crystal Load Capacitor1 O5 I: Y( l7 E7 d+ B) {
5 B$ I. [+ K7 j

reminisce · 发表于 2023-2-3 10:47

同问求答。。。

serenade · 发表于 2023-2-3 10:57

选用11.0592MHz只是为了得到精确的通信波特率,串口通信的可靠性高.因为它能够准确地划分成时钟频率，与UART(通用异步接收器/发送器)量常见的波特率相关。特别是较高的波特率,不管多么特殊的值，这些晶振都是准确，常被使用的。以19.2K波特率为例，19.2K波特率的晶振为11.0592=19200x(256-0FDH)x384x2(19.2 k的SMOD为1)。

mellifluous · 发表于 2023-2-3 11:06

石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振，晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致，这个具体可以查找下晶体谐振的计算公式，这个是负载电容的意义。晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。这个需要按照规格书所提供的数据来选取。

今天多少号嘞 · 发表于 2023-2-3 17:54

每一个晶振都有自身对应匹配电容值，MCU的连接IO口也有电容值，外围电路搭建的负载电容是根据晶振自身与板子上IO电容计算得出的

bazhonglei · 发表于 2023-2-3 18:16

晶振负载电容是晶振两端的总电容，两边的电容成为匹配电容，两个匹配电容串联的值加上杂散电容要满足晶振的负载电容要求，才能保证频率的准确性。

155351394 · 发表于 2023-2-4 14:22

:hug::hug:

honejing · 发表于 2023-2-4 16:27

负载电容值是規格書給定，两边的电容取並聯計算的值等於负载电容值即可。Ex:Cload=15pF,两边的电容各為30pF。

yjj198709 · 发表于 2023-2-10 17:21

给你个文档，看看吧。

Dc2024101522a · 发表于 2024-12-31 16:49

计算并不可靠，因为寄生参数未知，最好的方法还是上频谱仪调试

hsjzz22 · 发表于 2024-12-31 22:59

可以参考
【晶振电容，一个意想不到的坑】 https://www.bilibili.com/video/BV1iz421y7X5/?share_source=copy_web&vd_source=29e576859b724e1815ed748a8ba0d706

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