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今天有朋友问到为什么在powerSI中计算出来的信号阻抗是接近50欧姆，PDN的Z参数的阻抗只有不到1欧姆。
8 s( V, H% g4 G+ n! n, X
3 b' r) y9 K/ J( h. h, v/ W8 W' Q答：
3 {2 C' [8 k* c" v* I) ~; _特征阻抗和PND阻抗都是频域里面的概念。
$ M' w+ e6 x, c: k/ P特征阻抗+ H) f! I4 ~' z) n
是针对于信号线在高频环境下测量出来的瞬态阻抗。& @6 Z% ^2 i1 P1 ]: i- J$ V' f0 M
特征阻抗：又称“特性阻抗”，它不是直流电阻，属于长线传输中的概念。在高频范围内，信号传输过程中，信号沿到达的地方，信号线和参考平面（电源或地平面）间由于电场的建立，会产生一个瞬间电流，如果传输线是各向同性的，那么只要信号在传输，就始终存在一个电流I，而如果信号的输出电平为V，在信号传输过程中，传输线就会等效成一个电阻，大小为V/I，把这个等效的电阻称为传输线的特性阻抗Z。信号在传输的过程中，如果传输路径上的特性阻抗发生变化，信号就会在阻抗不连续的结点产生反射。影响特性阻抗的因素有：介电常数、介质厚度、线宽、铜箔厚度。$ S3 ?& L3 z5 g2 _9 `
可以参考一下百度文库的这篇文章，写的很好： http://url.cn/1Y5XJr+ G# D$ u c, @& c% q
- P# w. y/ ~+ t* ^0 i
PDN阻抗' x& @! x8 k$ z2 h. U8 w
是电源地之间在高频回路下的阻抗值，通常一个电源系统中，我们会有一个设计目标，一般我们称之为目标阻抗（电源系统）
% O3 v5 V9 l: @4 O简单的公式为：7 M7 |2 f2 @7 d6 M. f% H. F% ~+ [
. ?8 E# C+ u1 O' o; M& g( | h5 B3 } M+ m* @. D
当然在更高频下，目标阻抗会有变化。设计时，我们是需要把整个PDN的阻抗降低到目标阻抗一下，特别是在我们的工作频点，系统的PDN阻抗一定要低于目标阻抗，一般可以通过板卡上放置电容来实现。
3 [6 G8 u! ?# J! L# P) U1 z
; ]& l* d* ` L+ [) V7 K4 iPDN阻抗通常应该是毫欧姆级别，电流越大，我们的PDN阻抗应该越小。" V" D# u7 P( V
, r8 d& f# u1 J4 Z' g, v3 J通常加电容处理的范围是几MHz到几百兆级别6 V% \9 w! c' G. a) N6 T
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& B2 h" b; Z7 Y1 O# Z% z2 e( ` |
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发表于 2012-3-15 21:06
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发表于 2012-3-21 13:16
