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通信电源的MOS管,国产才好用

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 楼主| 发表于 2023-10-20 13:45 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2023-10-23 11:35 编辑 " O* l: N" Y! L0 b9 G
3 l6 z! L, J6 ]9 S+ R
近日,在2023全球移动宽带论坛期间,华为首发5.5G产品解决方案,网络能力提升10倍。网络能力的进一步提升,必将带动基础设施设备的增长。通信电源作为保证通信设备的正常运行,市场增长必然再次加速。
* M1 i' Z$ I4 F, X9 P9 i. C
" V0 h; o& n" r2 f通信电源厂家如何面对即将到来的市场增长呢?飞虹半导体认为还原基本点,做好产品的基础研发,提升自身产品稳定性、可靠性才能获得市场认可。" h! p( n. q7 Y2 ], F  l- p7 o
% ?# V- y* v. t& f* `+ w3 l4 B' n
飞虹半导体作为国产优秀的MOS管厂家,始终为电子厂商提供优质的MOS管研发、生产,是国内可靠的半导体供应链。而对于通信电源厂家的产品,我们提供FHL385N1F1A型号场效应管是可以替代IPT015N10N5型号参数用于通信电源。
5 J7 s( l: v+ l9 n1 y2 u, f3 x9 w
(图片来源:华为官方网站)" K1 Q7 ^) R# s- a

0 {& c$ h; ?+ A) G8 V) ]( F为何?因为FHL385N1F1A型号场效应管具备以下特点:
' O+ D& H/ \6 E' v' a' u4 z8 e
% x- e: |8 L/ D+ `  @1、低导通内阻:使产品支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
3 c+ Z+ p1 z, {2 L. R* I& ?# o2、100% EAS测试,使产品可靠性有数据参考
. V! `) a3 h& i! {3、100% DVDS热阻测试(更低的热阻,带来优异的温升表现)! R. I. {! M; B  X/ W
4、100% Rg测试,验证产品的稳定性
' h3 z3 F( `' T5 _: X5、工业级的可靠性能:封装电感小,带来出色的EMI特性和可靠性。
& C; f5 h3 S' N$ ~$ v
2 V% y$ k$ U2 {2 B从上述特点可知,这一款工业级的385A、100V电流、电压的FHL385N1F1A场效应管型号参数是很适合使用在通信电源的电路。! g% v. O- m8 d# C) t
5 @3 k  g5 l( C6 |! ?/ K

( D: l( I. y8 F8 l当然,在应用中,我们电源研发工程师一定要了解这款优质FHL385N1F1A国产场效应管的详细参数:其具有385A、100V的电流、电压, RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。
+ i; T# e9 A7 V5 t, ?" Y) J) {
* H- O) X" i0 y- i: \+ W, y. YFHL385N1F1A是一款N沟道增强型场效应晶体管,FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形,其封装产品具有低热阻、小体积、低封装内阻、低寄生电感等特点。
1 \- L: Z3 J& E, v( |! R9 h7 `) _
+ W# ?3 G- l2 u  |9 k3 R这款产品还具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):385A;BVdss(V):100V。
# _6 c, }; z* v7 a/ B8 |( [( ]5 _& K! }& O) B$ h1 y
最大脉冲漏极电流(IDM ):1540(A)、静态导通电阻(typ):1.3mΩ、反向传输电容:940pF。: {1 x8 J+ F$ R! g

* u+ }) s/ h4 b- u

7 e) [% [4 |  e$ \8 y华为5.5G的突破必将为国内市场的提升注入信心,我们祝贺!但国内半导体的发展始终离不开我们每一位电子厂商,持续研发提升产品服务!
/ y6 V0 [1 C% b" t3 D7 {; M' c7 w. V% p6 }" r# j
如何在竞争激烈的通信电源市场获得竞争优势?核心在于寻求优质的FHL385N1F1A场效应管代换IPT015N10N5参数型号用于通信电源的电路。
' V  ?1 r. Y( `3 O6 l/ N# n, ]& d* m$ d/ e& t
/ s: ?1 U. f  |  I8 M

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发表于 2023-10-23 11:32 | 只看该作者
通信电源的电路中用这个芯片用的比较多
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