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本帖最后由 Heaven_1 于 2023-10-23 11:35 编辑 3 A) d" G$ V, j w! ]0 G
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近日，在2023全球移动宽带论坛期间，华为首发5.5G产品解决方案，网络能力提升10倍。网络能力的进一步提升，必将带动基础设施设备的增长。通信电源作为保证通信设备的正常运行，市场增长必然再次加速。
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通信电源厂家如何面对即将到来的市场增长呢？飞虹半导体认为还原基本点，做好产品的基础研发，提升自身产品稳定性、可靠性才能获得市场认可。
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飞虹半导体作为国产优秀的MOS管厂家，始终为电子厂商提供优质的MOS管研发、生产，是国内可靠的半导体供应链。而对于通信电源厂家的产品，我们提供FHL385N1F1A型号场效应管是可以替代IPT015N10N5型号参数用于通信电源。
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（图片来源：华为官方网站）
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# T1 ^( m5 K! Q$ O7 @9 e: q4 Q为何？因为FHL385N1F1A型号场效应管具备以下特点：
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1、低导通内阻：使产品支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
/ g7 |& j0 n1 E0 B# O) T2、100% EAS测试，使产品可靠性有数据参考
! C* y% A3 B/ a" y7 G# V3、100% DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）) U7 C+ r6 _( O; _% B; u
4、100% Rg测试，验证产品的稳定性+ j) d, {# W9 T
5、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。
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从上述特点可知，这一款工业级的385A、100V电流、电压的FHL385N1F1A场效应管型号参数是很适合使用在通信电源的电路。$ ^: A9 H7 Y6 a
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当然，在应用中，我们电源研发工程师一定要了解这款优质FHL385N1F1A国产场效应管的详细参数：其具有385A、100V的电流、电压， RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @vgs = 10 V，RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。
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B1 W3 T" F' v/ W C! e8 z$ oFHL385N1F1A是一款N沟道增强型场效应晶体管，FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形，其封装产品具有低热阻、小体积、低封装内阻、低寄生电感等特点。! n2 R8 ?4 R4 @" l+ |
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这款产品还具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：385A；BVdss（V）：100V。
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最大脉冲漏极电流（IDM ）：1540（A）、静态导通电阻（typ）：1.3mΩ、反向传输电容：940pF。( C# G/ L+ w! U& n
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华为5.5G的突破必将为国内市场的提升注入信心，我们祝贺！但国内半导体的发展始终离不开我们每一位电子厂商，持续研发提升产品服务！* p& B9 l/ d0 `& I. M7 n* V
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如何在竞争激烈的通信电源市场获得竞争优势？核心在于寻求优质的FHL385N1F1A场效应管代换IPT015N10N5参数型号用于通信电源的电路。
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发表于 2023-10-23 11:32