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MOS管关断后电压下降为什么这么缓慢?

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发表于 2022-10-10 10:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位兄弟帮忙看看!鄙人是软件工程师,硬件只是懂一点。4 ^% V4 z) ]  Q5 {& a) Y" t4 q7 b
' F6 S" c9 j( k6 j! _" Q
问题是这样的,我这里是要用两个MOS做发码,上下管分别关断和导通,实现5v/0v的切换。原理是控制PMOS开,NMOS关,L+/R+输出5v;PMOS关,NMOS开,L+/R+输出0v。
+ i' f# u' A0 u  I: j; N& R+ v* }2 j2 ?8 z* @9 y" N% W
我在输出5V时,先关NMOS,延时十几us再打开PMOS;我在输出0V时,先关PMOS,延时十几us再打开NMOS;
7 x/ U2 u# c# s6 O- x, m
! Q0 F' C$ f! l( j5 U但是在L+/R+端测出来的波形,会在我关断MOS后时延迟好久才掉下来,只在下降沿会这样,上升沿很迅速。) Z7 O3 A* n+ F+ Z/ k5 J
' K- ~' S2 U4 z3 [# m# W
如图所示,有将近1.5ms时间:
/ K* \! @/ I) Y: ]" Z ; F! V7 ~0 G" u; u7 _
这是原理图,说一下我排查问题时有做过的方法。
. L+ X& ^( R! P1 Z
) K% {3 i7 f6 R3 e4 j1、有试过减小R27电阻,更换成1M时有减少100US左右,但是还是下降的很慢,换成10k后也没多大变化。
( B0 P0 H7 t- T: e4 E! X2、有去掉C11和减少C11的容值,去掉C11也是下降缓慢,改为4.7uF同样没多少改变,而且还有很多杂波。2 u$ |) O! k& ?  J3 C9 H1 Z# D9 q
3、有把2N700T这个NMOS管换成3400,我也不知道是哪个参数会有影响,但是换了后没有什么变化。' d: T7 T' ~* L% d$ j

. O# h/ O1 J2 F( g, F0 a) c+ t2N7002T参数:
; P+ S3 O! _; D& s, q 6 P& b# w: w, X: ]7 D, ~+ t/ _
3400参数:, O6 [  E4 p  V1 x
: \6 \: X# a# c. |) T3 m$ V
4、有去掉两个ESD,没有作用。) W/ s, [: B  C) i: r8 p& H
5、中间的R11限流电阻,有改小为33欧、20欧,波形会有点失真,有减少几百us时间,还是会缓慢下降。
5 z6 Y7 D5 |2 @( ?. q
! q" q$ E0 m/ B现在我已经不知道还能怎么改了,有大神给点建议吗?

该用户从未签到

2#
发表于 2022-10-10 13:24 | 只看该作者
R13过大,1MΩ太大了!通常在10KΩ左右就行。

该用户从未签到

3#
发表于 2022-10-10 13:43 | 只看该作者
R11直接改成0吧!还有,上面的P管,你确定是完全关断的么???PH2O跟VOUT是一样的电压么!

该用户从未签到

4#
发表于 2022-10-10 14:53 | 只看该作者
先看看芯片输出那的波形对不对,然后一路向后依次查找,看看到哪波形就不对了!!!
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