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在我看来你这是对的，mos是charge驱动的，而不是voltage驱动的，你的gate 上必须充够了charge才能打开inversion channel。电压自然是这个形态的，而且如果你的频率下降的话，你还会看到有个platuea，那是Cgd的charge，, @! R v0 q7 z( @/ g! ^" T8 [
1 ~$ ?7 G6 N4 H+ M8 n对于datasheet的数据，你会相应看到threshold voltage，那是Cgs的charge，接着是 Cgd，然后是最高的transconductance，那才是真正意义上的threshold voltage，然后就是fully charge, 这时候虽然rdson对应的on state loss下降, 但也对应了Ciss的 switching loss. 升高。这就要按照你的应用，做出trade off。
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mos开关的 gate driver 其实需要按照你的mosfet 设计，对应不同的特性，做出不同的调整。通常专门做gate charge的公司，比如瑞士的concept就是和mos的供货商合作设计的，需要懂得mos的器件物理，而不是看着soa摸河设计的。 |
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发表于 2022-9-27 09:59
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