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littlefs文件系统掉电保护是如何实现的?

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发表于 2022-9-15 16:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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文档: 在 STM32L4 上应用 littlefs 文件系统
& J* ~0 ?# E) H* d0 p
, J0 [1 z" @3 q/ p  }- G$ Q2 Z文档上说little fs支持 擦写均衡 和 掉电保护;
3 b" s7 c3 ]6 j6 U擦写均衡可以理解,通过打包几条写入,由写入几次变一次,从而增大flash寿命;
$ c3 H7 z7 k. T& S这样要写入的数据临时保存在ram中,掉电不就没了,这个掉电保护是如果实现的,是用电池供电的ram吗
3 X1 j' i, X/ ?0 _+ e

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发表于 2022-9-15 16:49 | 只看该作者
以FAT文件系统为例,当文件创建并写入数据后,这个数据就在固定的位置了。% _- @( y  s& S9 E( V! j

) c1 p' J$ h1 c8 u然后我们对文件中数据修改10000次,但没有增大文件体积。这个固定位置就被写入了10000次。
0 X! U# z6 L% M3 P& S* |, V: E而带有擦写均衡特性的文件系统,即使你修改文件原有数据,而不改变文件大小,他也可能每次写入在新的位置上。
$ ?4 n) ?/ [2 o8 R9 O8 z
* y/ }$ ^5 [" A8 L基于上面的原理,当你新的数据写入1半掉电了,此时你的原有数据没有任何损失,那么再次上电能看到你写入前的状态,这就是掉电保护。而如果你用FAT,那再启动整个文件系统可能崩溃,特别是写关键数据时。
9 p" I0 T! V1 T+ I7 \1 D3 W5 F当然FAT有也有一点点考虑,如双FAT表,但反正效果一般。
' S4 p# {# v6 x
# A* v3 }9 q. L以上仅是简单的原理说明,实际的实现中要复杂得多。# ^1 S, o9 l" A0 y
当然,即使有这些特性,你依然可以在硬件上增加RAM缓冲和额外的电池。
( Q) i( O7 T$ L4 s; K$ c

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发表于 2022-9-15 17:33 | 只看该作者
Flash有多个可用的扇区,但平时我们读写参数总是蹂躏某些特定的区域,久而久之这块区域就容易损坏。擦写均衡呢就要雨露均沾,所有扇区挨个用,这样就变相的延长flash寿命了。+ v# H0 c4 [5 }
掉电保护
  o4 X0 }/ G8 ]# D6 V4 P这个和ram无关,写flash的时候要先擦除才能写入,如果刚擦除就掉电了这时候不光是新数据没了,就连原来的数据也损坏了。引入掉电保护可以让flash的数据恢复到上一次完好的状态。
7 ?  e4 z1 F+ S- W% h) x) i1 ?
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