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运放的spice模型能否模拟其噪声特性

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发表于 2011-6-15 16:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,预算放大器的spice模型能否模拟它的噪声特性呢,比如max4212厂商提供的spice模型为* MAX4212 FAMILY MACROMODELS
- O8 U/ g( ^) N  {& u$ y* -------------------------
- Z- d6 s. b- E: o- b* FEATURES:6 E- l' f( u' d, h! N& y
* 300MHz -3dB Bandwidth
% m+ a; q* j9 J- I* l- P3 J* 600V/uS Slew Rate' h1 a. Y0 g6 P9 n
* 5.5mA Typical Supply Current
: D. s8 ~. f1 v. f/ ?: M( ]* 120mA Typical Output Current  ?/ ]- d2 g- C* J6 b
* Rail-to-Rail Outputs
: a+ |, Q3 ]% V9 p6 R& d* Available in 5-Pin SOT23-5 (MAX4212)
) c& g% R* w4 ?' ]: a! b*  ?' l8 Y2 G/ G: Z; k
*
) j3 e' O( e( v4 u* PART NUMBER    DESCRIPTION
1 |0 K- a8 R# [, C9 Y3 m$ E% R* ___________    _____________________________& J2 z* f; ]# T# P3 {0 b
* MAX4212        300MHz, Rail-to-Rail Op Amps  , H  w9 C1 U) O1 b; w, B# y: ^1 V
*
* Y9 ^% G+ f' F: i/ a% y4 y*! x$ ?) L/ H4 V8 o
*   ////////////// MAX4212 MACROMODEL //////////////////( a0 q- }1 d; a1 y: {* ^
*% t+ l4 F: X" E6 z. D* G& C
*   ====>      REFER TO MAX4212 DATA SHEET       <====
& h" _+ [; D% V* v+ ]" u7 @*; y6 c& Z8 w& S! Q- R3 X
* connections:      non-inverting input
1 |/ q, ^3 O& [- w*                   |   inverting input
$ j, ^" G; c% s! z3 A*                   |   |   positive power supply
& \8 B- T7 \) l9 k  G* K- v*                   |   |   |   negative power supply5 y5 b$ B6 C2 ]& {0 e
*                   |   |   |   |   output2 w. Q1 ~$ }& [  S  s9 k' H5 R
*                   |   |   |   |   |
$ X* M; \- H% }! b! O4 {" h0 W3 @*                   |   |   |   |   |4 {! n% I/ z* r8 m, }8 p* e
*                   |   |   |   |   |
* [2 d; q& L9 S: l( F* OUTPUT CONNECTS:  1   2   99  50  97, i+ ^0 U  i3 e: k: m0 p: [6 E
*
) f6 r" H8 W. C# y$ ]*/ s, E' o+ Y5 i+ [7 g
.SUBCKT MAX4212 1 2 99 50 97
1 n- K, W/ X6 O2 l1 \: s****************INPUT STAGE**********************
. g# y# C( S" f1 p/ w. V' }I1 99 4 .5e-3) i" Y( [: b1 J- i# g
IBIASE 1 2 5.5ua
( L- P4 Y. v3 u3 Q. PM1   5  2 4 99 MOSFET% \( A/ v, H* b  ^$ j. ?
R3   5 50 28282 y( E+ Q& p/ K. n, d5 N  g4 m
M2   6  7 4 99 MOSFET
0 x4 @' P3 D5 p* K' {R4   6 50 2828
3 Q: L: O, j2 p: Q  b2 f5 CCI1  1  0 2P5 N: `" \% @* K7 q' D8 [6 Y# A
CI2  2  0 2P
. u9 k, h& ~: p* V9 _*DP1  1 99 DA8 X1 p( i6 N* R, C, y- Q: x
*DP2 50  1 DA
' L# n  \& l: H- z+ N9 {1 r2 r*DP3  2 99 DB
5 e- t  G4 P& ]*DP4 50  2 DB) n4 Y( u+ ?$ b5 i& [, x) Z
************************
" l) m1 N8 z0 w- N' W' [************ GAIN, 1ST POLE, SLEW STAGE************, t# F' A; B9 F. E, z
EH 99 98 99 50 0.5
1 d  l$ K5 h1 x6 b8 R- c# MG0  98  9 5 6 7.87e-3
. ]6 [2 E& N# a( D4 eVB 9 10 0V
. k8 t3 V8 e! F2 ~+ ^0 n$ AR0  98  9 127E3
- t9 n: u& f  X, yC3 10 98 1.488e-11; E: i# c; C- ?/ h
*C3 10 98 1.166e-11
4 s, h" L+ e% w, r3 F*** ***********
  N4 r2 q6 v( c+ g# F, @D1 9 111 DP! c3 M1 S- X, l. C6 k
D2 112 9 DP
% C6 w) D4 P; I, u" kV11 99 111 50MV- c' [2 \0 g  n/ z7 P8 G4 s) g, y% u
V12 112 50 50MV5 n+ L. o' a1 y# R$ a& O+ s1 N
************
5 G* s+ B' k: [* R+ W! u1 Y8 uI2 99 50 5.1mA
* B% p/ p+ i! K9 NVOS 7 1 0v
- {! z* T* A2 h! }7 _* S******** POLE STAGE **********
$ M9 P. f- x  [- d* AG3 98 15 10 98 1E-3
9 A0 c$ f/ Q% J  uR12 98 15 1E3& K8 l' f; F/ b
***************************, i) W3 A3 X4 h3 n% H# |2 _
*********** change for second pole
0 _' m4 Z2 p" SC5 98 15 .48p# ~7 l( k& s1 |' P$ P
*  ; x3 c" c, [) n# G- E! p
*************OUTPUT STAGE****************! D  F! E0 ?. d/ n5 A2 u4 H
F5 99 38 VA8 1# _4 ~  C$ O5 r- C! E5 H% b& Y" @2 R
D9 40 38 DX
) W; c0 o5 H( GD10 38 99 DX
5 I9 D# G1 h* r5 L( Q, i4 @1 `VA7 99 40 0
3 M$ K5 r" E. X: C1 b; K) jG12 98 32 15 98 1E-3$ d* V& L$ I3 |8 v) l" i
*          ^ INSERT NODE FROM LAST STAGE HERE  C' q" u5 V& ~- j) Z8 l  K5 I
R15 98 32 1E3
  z) ^" u5 b8 c% L1 X; B*D3 32 36 Dx
6 q$ ]& w; m; w5 _6 l% j*D4 37 32 Dx! R" u" z! _5 T9 t
*V5 34 37  .3V
6 \2 L- U' K8 T! R9 q# H3 ]*V4 36 34  -.3V
; b5 F' K. W) X# |% }0 B*** V5,V4 SET ISC
- k1 U. S, X, Y! W; xR16 34 97 7.557 b3 F  [/ |: G4 U# j, F( ?
E1 99 33 99 32 1
! v& \* T5 T* |2 j$ c$ Z0 oVA8 33 34 0V
- D. s1 |6 G6 l, H1 J! }******************************************0 z- A" q0 n/ {5 ^( |% h
.MODEL DA D(IS=100E-14 RS=.5K)
; {7 i/ H- d8 u1 T.MODEL DB D(IS=100E-14 RS=.5K)
4 f3 R8 s, c% x* Q; f.MODEL DX D(IS=100E-14)
9 }( Y4 T" ?; _+ M& J1 j' b* A3 p.MODEL Dp D(N=0.05), F. m, O5 ?7 j: q' R+ v$ d
.MODEL MOSFET PMOS(VTO=0 KP=1.8E-3)1 s. o5 K. S# g5 O, c6 Y
*VTO ESTABLISHES INPUT VOLT. RANGE  , was -1.7
! k9 J: n% v" ~  x. Y9 j' N**
- `- o+ G( U+ R9 i1 S% d7 x6 v.ENDS7 P" T* O% h' c( Y- M: i. S# ]
              
# l7 ?9 y& S, }/ P3 lcadence中提供的ac 分析中的noise分析对含有max4213的电路进行噪声分析时,仿真的噪声曲线包含了该芯片的噪声么
- G4 v; X9 H# N& U& s; q7 i小弟初学模拟电路,请各位大侠指教啊。多谢
% ]# G6 U  Q! q. N
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