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0 Y) p& y6 }0 h+ \# Y3 n产品描述' \( e: V4 S7 i9 G; O( @& c: r
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MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器，位宽为512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可在断电时自动保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR3A16A是理想的存储器解决方案。
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MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和54引脚的薄型小外形封装（TSOP Type 2）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR3A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商业温度（0至+70°C）和工业温度（-40至+85°C）工作温度选项。everspin代理英尚微驱动、例程以及必要的FAE支持。/ r( ]5 z. N; @+ ~
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引脚封装
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' B# E& E( x; R$ B7 [1 XMR3A16A特征
# J2 Y1 Y- j# c3 ?8 J•+3.3伏电源' v+ } m/ Y6 p$ N, E
•35 ns的快速读写周期 ]3 y* R3 t! m3 c
•兼容SRAM的时序•无限的读写耐久性
. r1 A2 N- M9 L•温度下，数据始终保持非易失性超过20年
* i$ a, i2 |" J2 z- p•符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封装4 v" e% [+ B& ~4 U9 m/ M
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级. G' H- q A# ]. x5 v
好处+ G5 T( x$ L$ V+ Q
•一个存储器替代系统中的FLASH，SRAM，EEPROM和BBSRAM，以实现更简单，更有效的设计- W% w9 v9 R+ Z |
•通过更换电池供电的SRAM来提高可靠性: ~( W1 B6 h/ M6 a
9 C# E! E9 _* Y+ b" m
关于Everspin. Y' |" K) j9 {% U) |7 H
Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。英尚微电子作为everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的数据存储.没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。* g: ?8 I0 Z0 N9 U" F# T- L, m
' S0 K$ Y) W8 W4 s4 }' I W5 \MR3A16A型号表 - K2 M- A- o1 c, J/ O
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | MOQ(pcs) / Tray | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16AMA35 | 48-BGA | 3.3v | Commercial | 2000 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16AMA35R | 48-BGA | 3.3v | Commercial | 2000 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16ACMA35 | 48-BGA | 3.3v | Industrial | 2000 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16ACMA35R | 48-BGA | 3.3v | Industrial | 2000 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16AYS35 | 54-TSOP2 | 3.3v | Commercial | 216 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16AYS35R | 54-TSOP2 | 3.3v | Commercial | 216 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16ACYS35 | 54-TSOP2 | 3.3v | Industrial | 216 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16ACYS35R | 54-TSOP2 | 3.3v | Industrial | 216 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16AUYS45 | 54-TSOP2 | 3.3v | Automotive | 216 | 8Mb | 512Kx16 | MR3A16AUYS45R | 54-TSOP2 | 3.3v | Automotive | 216 |
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MR3A16A规格书下载 t4 @+ V _8 P) `
MR3A16A.pdf
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发表于 2021-4-30 16:52
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