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分层隔离基础知识详解

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    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2021-2-26 15:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题,因为数据完整性很差,而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间的接口提供电源。随着iCoupler等高性能数字隔离器以及isoPower器件集成电源的问世,通过分层隔离器建立高压隔离栅现在已经成为一种可行解决方案。! _7 F6 E) N5 |2 |  s4 z' B7 o
      由于新型电池和发电产业的快速扩张,我们需要具有很高工作电压的接口,还要求提供加强绝缘。例如,太阳能逆变器应用具有以下要求:
    # d, x  z, I( P' U; w  800 VDC的工作电压
    , f; [( P7 T% A, e7 G6 {# v  2级污染等级( j: W; j  X7 G. k$ Y/ R* ~( i/ ]
      过压类别III
    2 I; {! `$ A8 P/ G! |8 |  根据IEC 62109-1标准的有关加强绝缘的规定,这需要:
      d' W  b3 f. L' K* T: A  脉冲耐受6000 VPEAK电压: o' O3 K8 o3 s$ {+ L7 a
      800 VDC的工作电压, t* A( o7 K1 B/ ~$ O0 }
      8 mm的增强电气间隙
    6 N0 @7 |  s. ~+ O7 ^1 t( j8 V  16 mm的增强爬电距离* ]! P0 p4 T  `  B  P; c0 A
      此爬电距离在当前封装中不可能实现。但是,如果隔离栅可以分成基本隔离栅和补充隔离栅,则对每个隔离栅的要求是:& n- q  ~. z& {" a
      脉冲耐受6000 VPEAK电压3 R) e" K& O( E' P) M5 H
      800 VDC的工作电压8 l- p# m% g* Q; i, r' @; R: M# U
      5.5 mm的基本/补充电气间隙
    3 b9 c+ v1 `1 \  8 mm的基本/补充爬电距离3 @+ u* Y( p5 I  m6 X) }) z
      SOIC16W封装的iCoupler器件,可以达到基本/补充绝缘电气间隙、爬电距离和脉冲电压要求。
    ; r/ p4 G* _! a1 E  以下框图显示如何级联isoPower器件和标准高压iCoupler器件以提供所需的隔离。必须非常小心地确定数据通道的整体性能。
    ) g% b* ]+ C! @! M6 Z1 O  两个组件之间的传播延迟、脉冲宽度失真和通道匹配值将会增加。数据速率将受到两个器件中速率较慢器件的限制。isoPower器件提供运行中间接口的电源。在高达1 Mbps的数据速率下,整个隔离栅在5 V电压下需要大约20 mA的功率,在更高数据速率下,还需要更高功率。
    1 R9 c+ K/ T6 v  ^7 |" w  

      如果必须跨越两个隔离栅输送电源,以便为隔离负载供电,则必须按以下所示方式级联两个isoPower器件。$ b# N( l; Z) k+ b) W% h0 {4 F1 i+ j
      

      这种配置非常紧凑,但总功效非常低。下图显示了负载的功效。如果数据传输速率高于1 Mbps,则数据传输将使用一部分可用功率,每个阶段的功耗必须进行详细计算。如上所示,该应用从原边输入获取大约40 mA功率,以创建整个接口。$ d; A# m: t8 X: k" Y
      

      这种方法可以解决太阳能逆变器应用中的一大难题。在不同的标准和应用中,可以应用此方法来实现不同目标,这要取决于特定系统标准的具体细节。可以使用isoPower器件、数字隔离器和器件接口的多种组合来创建隔离数字I2C和USB接口,向终端负载提供或不提供功耗。
    ) W' `+ j6 c6 G
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