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SDRAM初始化过程如下： 1、加电 2、延迟指定时间，从第一个sdram的clk开始，通常为100us。具体值请参考SDRAM手册 3、延迟一些自动刷新周期，通常为两个 4、设置自动刷新寄存器 5、等待一定时间以后开始写模式寄存器 以下程序以L7205SDB为例 AREA STARTUP ,CODE, READONLY ENTRY 7 \' Q; i' A q2 }7 Y1 h
start ；关中断 LDR R4，=0X90001000 MVN R5，#0 STR R5，[R4，#0X0C] STR R5，[R4，#0X10C] / r, u5 y: y) W7 `, v- g
;延时 LDR R4，=0XFF 01 SUBS R4，R4，#0X01 BNE %B01 ；%B01表示向后搜索标号01
" }& S8 O3 r" `, {) J7 A' B, A ;1)NEXT寄存器 LDR R4，=0X80050004 LDR R5，=0X05FD4717 STR R5，[R4]
% e% P# _( s' H' H5 F9 P; L4 R: o ;2)运行寄存器 LDR R4,=0X8005000C LDR R5,=0X014717 STR R5,[R4] 2 U Y# ]( S3 a$ E, S
;3)命令寄存器 LDR R4,=0X80050010 LDR R5,=0X01 STR R5,[R4] ; B! a- U- E; d$ F; e9 S8 b
;4)设置enable LDR R4, =0X80050030 LDR R5，[R4] 0RR R5，R5，#0X4 STR R5，[R4] 6 ~3 }& d. U+ P' B/ }% _
;5)延时200us MOV R4，#0X1000 15 SUBS R4， R4，#1 BNE %B15 ) v( p# a- i( e a
;6)使能slot1、slot2的7、3位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#0X88 STR R5，[R4]
& A! R5 D7 @2 y' j3 p ;7)refresh timer LDR R4，=0XD0000004 LDR R5，=0X8 STR R5，[R4]
/ U- I& l9 T0 E; a' z# d ;8)auto refresh enable 23位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#(1<<23) STR R5，[R4] " G* z% A I" S, [" V
;9)延时1us MOV R4，#0X16 15 SUBS R4，R4，#1 BNE %B15
0 j. b" N( d6 X: V ;10)设置模式寄存器 LDR R4，=0XE0000000+(3<<11)+(2<<15) LDR R5，[R4] ADD R5，R5，#(1<<24) STR R5，[R4]
5 ^# K$ `" d9 Q$ e, e ;11)WD,WM位 LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X00EF00CE ORR R5，R5，#0X30000 STR R5，[R4] 7 Q$ l; |' k9 r' `3 u3 e0 X2 k) ^0 [, ?0 u
;12)refresh timer LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X200 STR R5，[R4，#4] # g: U7 M- ~. I# t+ u9 ]! I
;13)timer buffer register LDR R4，=0XD0000000 LDR R5，=0X55 STR R5，[R4，#0X8] L; ^! I7 l+ H1 d
;14)禁止MMU MOV R4，#0X0 MCR P15,0,R4,C1,C0,0
/ _) u' O4 h) |: f2 S+ ~8 e ;15)halt MOV R4，#0X0 ；这个无意义 9 b/ w: I& a6 X# S
;16)设置MMU SETUPMMU R4，R5，R2,R3，R9，R7 ；通过SETUPMMU宏来设置MMU
+ ^$ O- f& ^- I; L3 `# ?& m ;17)halt MOV R4，#0X0
S5 F0 o% [ m- h$ w: k. v5 W ;18)重映射 UNMAPROM R4，R5 ；通过宏UMMAPROM来把R5映射到地址R4即0X0处 + r. _; T" u. s* |9 i
haltthere ;19)halt MOV R4，#0X0 Config32 EQU 0X0 MMUOn EQU 0X01 CacheOn EQU 0X04 WriteBufferOn EQU 0X08 PageTableSize EQU (1<<14) SDRAM_Bank1_High EQU (0XF1000000) SDRAM_Bank2_High EQU (0XF2000000) SDRAM_Bank1_Low EQU (0XF0000000) SDRAM_Bank2_Low EQU (0XF1000000) PageTableBase2 EQU SDRAM_Bank2_High-PageTableSize PageTableBase1 EQU SDRAM_Bank1_High-PageTableSize PageTableEntryCount EQU (0X1000) VirtualPageTableBase EQU PageTableBase2 IOCS0Base EQU (0X24000000) IOCS0Size EQU (0X4000000) IOCS1Base EQU (0X10000000) IOCS0Size EQU (0X4000000) SRAMBase EQU (0X60000000)
2 J, O( h, K- ?5 WDisableMMU EQU (Config32：OR:0X40) EnableMMU32 EQU (Config32：OR:0X40：OR:MMUOn) EnableMMUCW32 EQU (Config32：OR:0X40：OR:MMUOn:OR:CacheOn：OR:WriteBufferOn) ；宏SETUPMMU生成一级页表，建立以1MB为单位的4G虚拟存储空间的地址映射关系。
' ]$ R7 w0 M0 h+ IMACRO $label SETUPMMU $base,$desc,$tmp,$tmp2,$cnt,$indx
9 l& W4 c: t, m6 c1 }: IROUT ;用于调试时增加可读性 [ O=0 ;IF NOP NOP ] ;ENDIF - J/ J- |% P0 r ^. L9 h
;禁止MMU MOV $tmp,#DisableMMU WriteCP15_Control $tmp
8 U7 p9 H) O# H/ ` J+ o( k# ]9 L;自动识别系统中SDRAM大小，并把结果保存到系统中特定位置 AutoSizESDRAM $tmp,$tmp2,$base,$desc,$cnt,$indx
8 y/ _& k- R4 u' s MOVS $tmp2,$tmp,LSR #16 EOR $cnt ,$tmp,$tmp2,LSL #16 LDRNE $base ,=PageTableBase2 LDREQ $base,=PageTableBase1 STR $tmp2, [$base,#-4] STR $cnt ,[$base,#-8] ;保存一级页表的物理地址 STR $base ,[$base,#-12] ;计算扩展槽1中SDRAM的起始地址，以便使SDRAM1和SDRAM2地址连续 ;address=Bank 1 base address +Total possible size of bank1-actual size of bank 1 ;address =0xF0000000+16MB-Size LDR $indx ,=SDRAM_Bank1_High SUB $indx,$indx,$cnt,LSL #20 ;保存该起始地址 STR $indx, [$base,#-16] ;建立4G的虚拟地址空间到物理空间的映射关系 ;各块的存储访问属性设置成uncached、unbuffered ;各块的域标识设置成domain 0 客户类型 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc,=MMU_STD_ACCESS MOV $indx ,$base LDR $cnt ,=PageTableEntryCount
* _& m1 f1 B- a: J' s01 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B01 ;建立包含页表的页存储的地址映射关系 ；该页默认的虚拟空间在扩展槽2的高端16KB的区域 ;如果系统扩展槽2中有SDRAM存在，则该存储页的地址映射关系不变 ；如果系统扩展槽2中没有SDRAM存在，则将该存储页映射到扩展槽1的高端 LDR $desc,=MMU_STD_ACCESS
$ H$ u% F2 P+ E" m; \3 n LDR $indx,=VirtualPagetableBase
, u+ D- {( S6 y7 q LDR $tmp,=0xfff00000
6 s( f5 d8 Y4 N) |# U/ [4 a5 N7 v4 k AND $indx,$tmp,$index ;读取虚拟地址的高12位8 ?) @' x/ f# A# U7 [1 [
ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性）
2 o: R5 P: [$ y ADD $indx,$base,$base,lsr #(20) STR $desc,[$indx] ;建立CS0选择的静态存储器的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;CS0选择的SDRAM的物理地址空间为0X24000000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X24000000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =IOCS0Base LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(IOCS0Size>>20) - x/ [" l8 @, {8 Z( g
03 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B03 ;建立CS1选择的静态存储器的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;CS1选择的SDRAM的物理地址空间为0X1000 0000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X1000 0000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =IOCS1Base LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(IOCS1Size>>20) 0 J- k# x+ u' {/ R, f* P9 F* A
04 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B04
% a1 e: E. F" @+ T6 H3 l) q ;建立片内SRAM的虚拟地址空间到物理地址空间的映射关系 ;SRAM的物理地址空间为0X60000000 ;现在将虚拟空间0X0映射到0X60000000 ;各块得存储访问属性设置成cacheable、bufferable ;各块的与标识设置为domain 0客户属性 ;各块的存储访问权限设置成允许所有权限 LDR $desc, =(MMU_STD_ACCESS+MMU_C_BIT+MMU_B_BIT) LDR $indx, =SRAMBase LDR $tmp, =0xFFF00000 AND $indx,$tmp,$indx ORR $desc,$desc,$indx ;得到（高12+存储访问属性） ADD $indx ,$base,$indx,LSR #20 LDR $cnt ,=(SRAMSize>>20)
) [1 e& R0 n9 j1 L05 STR $desc ,[$indx],#4 ADD $desc,$desc,#(1<<20) SUBS $cnt ,$cnt ,#1 BNE %B05 , x' r7 _. q1 x1 C- \
;清空cache以及写缓冲区 ;重新使能MMU ;设置域访问控制寄存器为domain 0 ;其他域没有任何访问权限 LDR $tmp, =0x5555 5555 WriteCP15_DAControl $tmp WriteCP15_TTBase $base MOV $tmp ,#0 ;清空cache CP15_FlushIDC $tmp ;清空TLB CP15_FlushTLB $tmp ;重新使能cache和写缓冲区 MOV $tmp , #EnableMMUCW32 WriteCP15_Control $tmp 1 C- M( D6 Z' z3 y
;等待流水线上指令执行完 NOP NOP NOP NOP NOP MEND
; e# X' x5 s# S5 G |
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发表于 2020-12-25 14:50
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