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发表于 2020-10-18 23:47
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第二个是MAX44252ASD+，0输入对应输出电流相对实际电路较理想的运放，（实际电路运放是LM358这颗很普通料0输入电压对应输出电流和MAX44252一样看上去，0电压对应的电流很小）模型参数如下
X' G; [7 e; A& m( X1 \- @* l*.subckt MAX44251/MAX OUTA INA- INA+ VSS INB+ INB- OUTB VDD$ Y+ U4 M6 h: Q F3 z
Xop1 OUTA VSS INA+ INA- VDD opamp
& F. y$ C+ b# f# p( q& e+ y' [+ K*Xop2 OUTB VSS INB+ INB- VDD opamp1 q: A' ?* V% m4 x6 A' H
*******************************************
: a: N; ^) O& n( @! k6 Z***" ~+ G' k6 C8 J' N( N5 v7 D4 z' |
.SUBCKT opamp 201 18 17 15 10 * Y$ N$ f5 G" \3 {; m; y
***************3 K+ F$ Z2 m3 Y; P ~7 V9 x! ]
*INPUT STAGE; R/ ]3 f, H; K0 `
VS1 10 11 0V0 Y9 k# h7 \" [3 x3 y
GBIAS 11 12 304 100 179.25U
& L9 ~$ W* Y7 M" r2 tM1 13 16 12 11 MOSFET
: o$ H9 u1 H9 i( H. qM2 14 15 12 11 MOSFET" Z& e2 _) _# J3 C7 ]
DBIAS 18 12 DY
7 b# t8 E9 _" m p6 lVOS 17 16 3u0 i& Z- g! y- H# x. X" K3 ~
RD1 13 18 1K
& H/ N. m; }5 S e% t7 @; [RD2 14 18 1K; [' `( `/ V6 c
C1 13 14 2P$ q/ a4 `5 g1 g
CIN1 16 100 10P
" a5 A8 F' M2 Q( Q* c4 RCIN2 15 100 10P
! `9 g- f4 w7 U: ^! SDIN1 16 11 DA
8 B! t; ^5 U4 C+ U7 E. `DIN2 18 16 DA
# }, w% A+ d9 H: m3 }2 k# fDIN3 15 11 DA
. j, `( o. @) {3 j: g) rDIN4 18 15 DA5 V. b: Y i s2 D/ n1 O3 ~
FSUP 18 10 VS1 1 % f6 T% T8 H) U& m+ r
E103 103 18 10 18 1/ Q! }$ E, L. U3 J- O
**************$ Y u8 Z/ J2 K1 W- c4 }
*INPUT BIAS CURRENT
, Z- r N3 S8 EIBIAS1 18 17 -401.5P
' I& E0 ?$ \. r1 x4 N- { `IBIAS2 18 15 -0.5P! u0 ^: L" O- M* q$ t; M
GBIAS1 17 18 10 18 1p7 Y& {: n8 U0 x6 K9 _2 a, f
GBIAS2 15 18 10 18 1p
4 O, g! i" g$ Q, Y$ ~9 A0 Z6 G9 \9 iRID 15 16 1000G
( x" [9 u& Y z8 S1 _, `**************
+ C1 a G; F( W, {**************************************************
' O- w" n; o7 K2 Z/ q2 p5 @: s*GAIN STAGE * ^& l( K4 H1 {) R
GA 25 100 14 13 51M * z( O, s* u. X
RO1 25 100 2.95k! v! A7 t8 `5 z6 S. w8 j
GB 26 100 25 100 1410M
) T" F' j, z3 e! h! H8 RRO2 26 100 1K3 m8 `" f+ ?7 l' K
EF 27 100 26 100 1
: s+ W3 U9 u5 x: UCC 25 27 70P
0 `6 j6 A( B8 y7 `EF2 29 100 28 100 1 6 b0 p) w) _5 B6 S7 O
GC 100 28 26 100 42.16M" ^1 R6 N- G8 S/ z% T% K: Q
RO3 28 100 2.7K3 E2 ^- r+ f) s, m, `
CC2 25 29 1800p
/ }8 t- C% ~9 L2 TRO4 28 30 20
+ M, m: M( r M( N$ [GCMPS 100 25 40 100 393.5U : v4 }1 M5 N# E1 h! Y# J2 G$ D# j
**************
4 |( _4 [4 ^( Q/ y0 R*CURRENT LIMIT
4 @9 [* i1 f2 o) y5 J1 S$ _7 DDP3 26 38 DY
7 T# x" F" h# e7 QEP3 38 100 10 18 185M- H8 m3 D! I, s" F+ d* i; `
DP4 39 26 DY
: }3 _9 O) }9 k# v) s) jEP4 100 39 10 18 185M* `4 E% Z ]% r4 E& f+ V
**************
* E m# K5 b5 p. ~! A. h8 l1 ?*INTERNAL GND7 u. l' i# T4 a& y6 s7 l
EG1 100 18 10 18 0.55 r2 D5 p6 ?. w% C0 n2 I
**************
* @: k0 @2 G5 i9 \5 H2 K. s' `0 q3 Y*VOLTAGE LIMITING* y+ h& U8 i6 |: m6 T' N5 Q7 B3 d
VS2 30 31 0V
; y( |% m; l" K6 ~*****9 ^2 F7 T. g( }( R
DP1 30 32 DY 6 ~% O* F$ A# k6 f! M* n9 y; y* ~
HP1 34 32 VS2 17.72 [' ]0 G5 k3 j' F* N; p) C6 y
EP1 34 36 10 18 0.5
9 v) E! o8 n/ J" ]. u; ~ `) R: P# sVOFF1 100 36 12M
% k; s2 d9 \; T1 b8 H. Y6 e*****0 V6 ~+ d# \) A2 _/ ~1 }
DP2 33 30 DY
$ x, q, p5 J0 I* G) N/ n& i) }HP2 35 33 VS2 14.43
* ^. A0 F/ l! `4 Z5 UEP2 37 35 10 18 0.5& g/ p8 y0 Z& }$ j
VOFF2 37 100 12.8M# w, c7 t4 Y5 l. H) M7 k
***************- W% r7 K/ H' p# t# }" p
*CMRR
4 ? c" I/ j0 @' T3 b) SRRR 40 100 1- f& J& X# S" L2 \0 a8 a
GCMR 40 100 12 18 50U
; c; a" a/ T1 U! h" k# Q+ p+ C8 mGPSR 100 40 10 18 16U
% _7 F8 Q( @! a8 {( y. N***************8 z; K" E0 r4 R) |
*SUPPLY CURRENT* q- m; V: Y7 D A* o" C+ K
ISUP 10 18 -1.1m
2 ?6 |# j" l; O7 s9 N/ Y: pGSUP 10 18 10 18 -10u
" \, y$ t M8 p$ l***************! O1 v5 J6 O6 g0 x
*FOR SHUTDOWN; a- ~9 T- X$ E- y
MEN1 171 172 31 10 MOSFETP
: ]0 t# y2 |1 I ~( `MEN2 171 173 31 18 MOSFETN
% M/ ~* b* r/ {EEN3 170 172 304 100 10: B- c# A3 D0 l% w5 s
EEN4 173 170 304 100 10+ P9 n2 c+ l8 v' X
RSHUNT 170 171 10MEG0 Z/ d0 C Z* U! A( r( U
VIS5 171 400 0V
1 S# L& X+ Z+ k! _% rR171 171 18 100k# z @+ G- m& E0 x% \: n L+ C2 o3 \
D401 400 401 DY0 j5 `$ w5 q- O3 u$ ~/ r7 n
D402 402 400 DY' q9 y* H. H2 i( G1 Y& i
D403 201 401 DY
: U1 U( q3 B1 ~( s7 Q* WD404 402 201 DY
* [# _& g% U( Q9 f* C3 l$ V7 s( n% J6 HI400 401 402 58m
& M2 U e3 C, F) m" D********************************6 t2 }* d K) ?' H$ P
RSH 103 18 500MEG
d: I, R; s, U" H, uISH 18 103 10NA
, ~" l5 ]2 v9 J8 c! mDSH 103 10 DY: ^- U9 A" f- F
CSH 103 18 10P0 h+ N' I$ Y S
**************7 W7 ^/ z* x4 g) @
EEN2 300 100 103 18 11 w) a, e2 s2 u' g, c$ \, M! k: q
REN 300 301 10K" e0 X( y- Y3 y. O& k# q4 q
VEN 301 302 0V% D2 T$ W4 n+ y9 D2 O1 j; o
EHYST 303 302 POLY(2) 10 18 304 100 0 0 0 0 0.4
% t9 p5 L5 n; c8 [( c# N" Z8 v, _EEN1 303 100 10 100 0.7
/ X D! M3 H& O* j5 U' W**************
! P& S0 O" F. O! V- v1 ~5 _+ f8 WFEN1 100 304 VEN 12- U* {9 I9 L( W# J3 W1 h0 y/ Y
CEN 304 100 1P6 @# V1 D* A; S. Y$ b7 H4 ?; @
DEN1 100 304 DY% N7 ]$ K$ @+ b% a5 H- ], y" a7 q( L
DEN2 304 305 DY
8 { O, y9 v" m y5 L: y9 EVLIM1 305 100 1V( F: n+ \% q# _8 ?) b
**************************************************7 r1 w% D6 | P* ?
.MODEL DA D(IS=100E-14 RS=0.5k)
9 C O3 X& y/ D) a' ]$ V.MODEL MOSFET PMOS(VTO=-0.2 KP=29.3E-3 KF=32E-27 AF=0.8), H/ g/ O4 ]. f1 t+ c/ q" V9 e
.MODEL DX D(IS=100E-14)
b+ C4 @5 O7 n% D.MODEL DY D(IS=100E-14 N=10M)# U! N# _, q' M1 m3 X! w- t
.MODEL MOSFETP PMOS(VTO=-5.0 KP=88E-3 GAMMA=0.01)
( h7 U: T S7 }9 c J.MODEL MOSFETN NMOS(VTO=5 KP=88E-3 GAMMA=0.01)- C! w9 {; o1 h+ ?* s
**************************************************
3 L) g1 y' D1 J9 t.ENDS |
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发表于 2020-10-12 10:02
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