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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑
1 Q% E- ^) L: j# b+ i# ?6 ~) ~( e- N4 p7 M. }4 o
目录
, h% P. M' ^9 F, d) ^8 {) L- }/ ^1 a 1、DDR4 关键技术5 h. s! h9 `5 _
1.1、DDR4与DDR3 不同之处
3 ^, ]* `" T) ~* c* T- c9 S1.2、POD 和 SSTL 的比较* j/ {, m% {* o; f
1.3、数据总线倒置 (DBI)- Q! x1 z" k: m3 I3 v; J: U2 i N. H
1.4、ODT 控制
" D6 J) F# E! B6 \0 f1.5、参考电压 Vref+ a* p, b k9 ?* g2 _ ?
2、DDR4 Layout Routing 新方法+ ~3 k& E: I F/ ^* ?
2.1、DDR4 信号组0 N, _1 I+ \" ]6 d1 u3 X
2.2、DDR 信号等长约束
: n: l. p9 A) ]( L8 I7 J' s; v3、DDR4 Simulation* ?% ]; e: ` ^% ^% r7 x
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx# K5 D2 y8 k* ^( m' {. Z5 r
3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值! h6 p3 V9 \7 B0 g; {
3.1.2、Data信号Stub的长度2 f. y+ @- Q. d/ x2 P' o% f
3.2、Intel SISTAI仿真' J& |- o' j7 A4 x+ [
3.2.1、DDR通道建模' D& }6 ]9 ^( [) }% U9 M6 p
3.2.2、Hspice仿真3 d5 W4 x8 l# S! _, T1 n+ h7 |
3.2.3、SISTAI仿真5 S s' X" Y" X; S$ N7 a
4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例+ @" E g8 v0 r- s2 N% b4 `
4.1、设计情况 n7 q8 H# `0 R! L2 u! `. z
4.2、问题描述# G) E7 q0 ~+ {4 l. l
4.3、Memory Margin Test; ^3 A, v, y! `# M9 I
4.4、问题分析6 K$ C1 |$ D. [0 C& d! ^
4.4.1、Micron 8G 本体分析
& x( `. a- I$ w1 |4 B9 o s4.4.2、通过Simulation来分析问题7 j, O1 H# N! C- c. E% e# l
5、小结
0 i9 L# ^% h. p
! m+ J, P+ Q d5 x参考链接：; V( m4 s+ _; n! g1 ~/ k
[2 K: S( C- y: V( P! B0 VDDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
# N# \' i& e9 ?) X6 V, }$ X" Z: T$ @: g$ v2 D, @: |
+ j6 r+ p, ~* v | 
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发表于 2020-8-30 20:57
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