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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发供应链讨论 › 失效分析&可靠性 › 芯片失效分析里面的EIPD是什么意思？
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芯片失效分析里面的EIPD是什么意思？

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vicolery1
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-10-21 15:08

    • 签到天数: 37 天

    [LV.5]常住居民I
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    1#
    发表于 2020-4-29 11:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    芯片失效分析里面的EIPD是什么意思？
    $ o5 c- e, E1 H5 j+ r. b. l4 `' [' D
    7 T3 b: q/ G, X3 \/ C    , ?  @) @2 b/ u) F& G
    The returned unit was peRFormed FIB analysis at abnormal area, serious burnout as EIPD was observed.

    9 Y5 X4 V1 Q  _" R

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    wiusuiwj

    该用户从未签到
    2#
    发表于 2020-4-29 13:38 | 只看该作者
    EIPD就是electrically induced physical damage,也就是所谓的EOS，元件因为过载静电或者其他情况烧件损坏了

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    vicolery1
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-10-21 15:08

    • 签到天数: 37 天

    [LV.5]常住居民I
    3#
     楼主| 发表于 2020-4-30 08:19 | 只看该作者
    wiusuiwj 发表于 2020-04-29 13:38:03" |* O' V  E2 Q& p. \1 F- x/ g
    EIPD就是electrically induced physical damage,也就是所谓的EOS，元件因为过载静电或者其他情况烧件损坏了

    : N+ h: z4 P. L% g, J
    , j+ N, \6 P6 B) H3 n知道了，谢谢！
    2 T1 i' G* z# ~% d) @/ M

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