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摘要:随着无线通信的发展,人们对于通信技术的要求不断提高,希望无论在何
( n; w' _9 @0 h$ K x- O时何地都能够与任何人进行包括语音通话、数据交换和图像传输的通信。
0 H. H' C0 p5 D, \0 X功率放大器是无线发射器中必不可少的组成部分,也是整个发射机中耗能最
0 O- h/ ]/ \" y; R# q. m h多的部件,输出功率-般比较大。 射频功率放大器的主要作用就是放大射频信号,
1 ^5 _8 ]+ z. r以输出大功率为目的。射频信号功率的放大实质上是在输入射频信号的控制下将% T+ g) O2 P' g: ~* [9 B; Y
电源直流功率转换为高频功率。相对于其它无线收发组件,大功率、高线性、高
\1 G9 G- f5 ]7 R效率是功率放大器的基本设计要求。) M/ N( s4 ?- h9 Z
本文介绍了基于TSMC 0.18um CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真
" z2 G9 D0 K0 j$ e9 g, _0 m结果和版图设计。该电路采用两级放大结构,单端输入单端输出。第- -级采用共2 C5 f |, {: r. S/ c8 h1 M* l8 ~
源共栅放大电路,第二级采用差分放大电路,输出由一个平衡-不平衡电路转化为% ^2 Z1 w( \( C) K U
单端输出。在3.3v的供电电压下,最大输出功率为16.25dBm,增益为20dB,输
! M. ]; S$ u; k w; D% c入1dB压缩点位13dBm,带宽为1GHz-2GHz,满足设计指标要求。
+ c, @4 n9 z) O" o关键词: CMOS;功率放大器;射频集成电路 G' R% P- q9 M; X% C
分类号: TN722.7
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