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大家帮忙分析一下这个复位电路

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1#
发表于 2009-8-19 17:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个复位电路我个人认识是RC复位电路,具体的R是R2,C是C3,可是不太明白接的那两个三极管的作用,请大家帮忙分析一下

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2#
发表于 2009-8-20 08:10 | 只看该作者
复位时间是由R1和C1、C2(这里C2也很有可能是滤波用的)决定的,6 \" m7 }7 e3 `4 I4 ^
两个三极管是做了两次电平翻转,目的是将C1、C2上的逐渐变化的电压变成类似数字信号的高低电平

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3#
 楼主| 发表于 2009-8-20 09:07 | 只看该作者
在上电的瞬间,电流通过R1给C1\C2充电,第一个三极管的基极是被拉低的,不能导通,这两个三极管不能作用;此时3.3V通过电阻R2给C3充电,实现对RST的拉低。觉得不是2楼说的R1和电容C1来复位,这两个再充电的瞬间是不能把RST管教拉低的

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4#
发表于 2009-8-20 09:55 | 只看该作者
在上电的瞬间,电流通过R1给C1\C2充电,第一个三极管的基极是被拉低的,不能导通,这两个三极管不能作用;此时3.3V通过电阻R2给C3充电,实现对RST的拉低。觉得不是2楼说的R1和电容C1来复位,这两个再充电的瞬间是不能 ...1 d( o; h7 ?4 P) D
yezi2893802 发表于 2009-8-20 09:07

7 m# `4 a& I9 D: R9 D在上电的瞬间,电流通过R1给C1\C2充电,第一个三极管的基极是被拉低的,不能导通。
3 o3 `. ?! N5 t9 E4 W这是对的,这时候第由于第一个三极管不导通,第二个三极管基极电位被R3拉高,因此第二个三极管导通,C3被短路,RST为低电平复位信号。
/ c$ S9 p5 d' k/ O7 p* ]* f直到R1给C1\C2充电电压超过0.7V第一个三极管导通第二个三极管截止,才会通过R2给C3充电。+ E2 c, V  m8 H/ d
设计中R2的电阻应该是限流保护用的,组织较小,C3是滤波用的容值也很小
/ |! v1 l+ o! u! b. E3 P我感觉这个电路还有一些缺陷,第一个三极管发射基应该有一个抬高电压的电阻或者二极管之类

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5#
发表于 2009-8-20 10:08 | 只看该作者
再补充一下,按照yezi2893802 的说法设置元器件参数电路也可以实现,只是有三个地方有些解释不通! C* }! I+ B" i% c5 M8 y5 v
1、C1为什么要采用电解电容?电解电容一般容值较大,适合做稳压和长时间延时9 N) P' K( y: `
2、如果电路中两个三极管不其作用而是靠R2、C3的话这个电路中许多设计都没有必要存在了' ?; n  S+ U4 r5 {( k
3、通过R2、C3充电的电压变化是按照指数关系逐渐变化的,虽然也可以做复位信号但是效果不理想

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6#
发表于 2009-8-20 11:05 | 只看该作者
1.R1和C1,C2组成的阻容复位,两个三极管的意图是将RC指数波形整形成方波
; N  i5 E6 b& P7 t2.C1C2接在三极管的基极的做法有问题.没有考虑到Vbe被钳位在0.7V了,所以这个复位时间是无法控制的.如果想把复位时间做长点,只能再加个大的电解电容.其实解决的办法很简单,在复位电容与基极之间串入一个电阻,这样复位电容上的电压就不受Vbe的限制了,复位时间也可以根据RC成指数变化,复位时间很容易调整,而且可以去掉那个大的电解电容

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7#
发表于 2009-8-24 10:58 | 只看该作者
感谢楼上Juger 的解释,本人比较同意这个分析!

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8#
发表于 2009-8-25 14:06 | 只看该作者
C1一般取4.7U左右,复位时间100~200ms,差不多可以满足芯片复位的要求了。需要更长时间,可以将C1增大到10U左右,复位时间一般>300ms。。

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9#
发表于 2009-8-25 14:20 | 只看该作者
谢谢各位大侠分析,学习了!

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10#
发表于 2009-8-27 10:03 | 只看该作者
谢谢各位的分析  学习了

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11#
发表于 2009-8-27 16:09 | 只看该作者
1楼正解

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12#
发表于 2009-9-2 16:45 | 只看该作者
谢谢各位的分析,学习了

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13#
发表于 2009-9-7 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 near0312 于 2009-9-10 17:33 编辑 " S8 R+ I' E8 L' A' O! E, X

9 f/ ]) O7 |# ?8 k9 t两个管子其实质是一个buffer,主要有两个作用:1、缓冲。2、电平转换。
, J/ F  S; T- O' @' \C3的作用是EMC和ESD考虑。0.1u或1u即可
! `9 N7 [$ b7 wR1主要是上拉第一个管子基集,为其提供工作电流。8 y" b- ]7 h9 }0 [4 @3 X: e
C1、C2两个作用:充电延时和ESD保护,C1不需要电解电容,具体参数由复位时序决定,一般选用uf级别的陶瓷电容。C2可选择0.1uf的陶瓷电容,靠近第一个管子的Pin脚摆放。4 Y2 i. Q+ [% _9 w9 Q
此处,我认为最好能在C1前面串接一个K数量级的电容,用于隔离,因为第一个管子打开后,基集对发射极电压很低(不同材质管子电压不同),如果没有电阻隔离的话,会将复位信号源拉低。可能会造成其他不好的影响。
4 E0 i, F6 N% K  |9 I4 A9 t! d加了串接电容后,延时时间可以用RC(R为串接电阻,C为C1)计算。

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14#
发表于 2009-9-10 12:45 | 只看该作者
真是精辟啊,感受了,谢谢

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15#
发表于 2009-9-27 14:07 | 只看该作者
复位时间应该是由R1和C1来决定。
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