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陶瓷电容失效分析

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  • TA的每日心情
    难过
    2019-11-19 16:03
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2019-11-29 15:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成,失效形式为金属电极和陶介之间层错,电气表现为受外力(如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下)和温度冲击(如烙铁焊接)时电容时好时坏。
    , ~: y, n8 {+ f& x& [
      o: T: X5 f7 p3 \3 W0 H1 b多层片状陶介电容器具体不良可分为:) `' n; f! J8 `1 Z1 b
    1、热击失效
    8 I: c& [- d. n% ~1 E2、扭曲破裂失效
    + v0 e2 ^; s( w  h1 T: r5 `3、原材失效三个大类) S1 u! {3 n7 W& K

    : a$ s, c$ c' y(1)热击失效模式:. e( Q; V8 q) H# g

    : J3 B# `; `* e/ X; ?热击失效的原理是:在制造多层陶瓷电容时,使用各种兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象,这种破裂往往从结构最弱及机械结构最集中时发生,一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面处、产生最大机械张力的地方(一般在晶体最坚硬的四角),而热击则可能造成多种现象:
    # g' g3 A+ H! a; G+ Q
    . |8 g. b+ s* l1 G/ o5 I; A' S
    ( W' W) S" Q; [% l) A% w. O" s' m. w; [( |7 r! @
    第一种是显而易见的形如指甲狀或U-形的裂縫
    3 d, [; Q* c" e! A1 O& P
    ; b; g% ~) y! {9 b. T第二种是隐藏在内的微小裂缝8 y3 C) N! j. d
    % N/ L8 Z& a" {  c, N: M
    第二种裂缝也会由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部开始,并随温度的转变,或于组装进行时,顺着扭曲而蔓延开来(见图4)。% t9 P5 }. R1 |. f. r! h9 {2 {
    1 n4 c- F1 C9 G
    3 t: O2 E% R4 H8 w
    第一种形如指甲狀或U-形的裂縫和第二种隐藏在内的微小裂缝,两者的区别只是后者所受的张力较小,而引致的裂缝也较轻微。第一种引起的破裂明显,一般可以在金相中测出,第二种只有在发展到一定程度后金相才可测。
    $ ^/ ?; _  E( i: E7 S' X5 b9 n& x" z5 a" K

    ) h% g- ~- x/ X
    . L: L: b( X$ |  q$ w6 v& F(2)扭曲破裂失效
      O; J  \! W- ]9 y5 u) C+ ^: `此种不良的可能性很多:按大类及表现可以分为两种:+ i7 a0 L' y% d' h* b) Q
    4 M7 }- ~: j: Q  ]4 K3 h: u0 n0 {
    第一种情况、SMT阶段导致的破裂失效- K6 [8 ]# I  G- Y: c9 P. v
    8 Q$ r  o4 f9 t8 R
    当进行零件的取放尤其是SMT阶段零件取放时,取放的定中爪因为磨损、对位不准确,倾斜等造成的。由定中爪集中起来的压力,会造成很大的压力或切断率,继而形成破裂点。) s3 A8 I2 [7 H  F
    这些破裂现象一般为可见的表面裂缝,或2至3个电极间的内部破裂;表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。  A! I4 I; z: r; U( [

    : }' d5 u# A" Q8 A/ X8 l8 \( H+ n- u真空检拾头导致的损坏或破裂﹐一般会在芯片的表面形成一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。
    % W+ n; Q3 K- }7 s另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件中央的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容器的底部破损。
    3 N2 P/ I9 n6 I( _9 d# Q3 P1 p! H4 A% P; r) f
      V0 E" m0 o* N) `

    9 A# p. x' `& E" p- P5 [, m# U- L第二种、SMT之后生产阶段导致的破裂失效# L$ w6 \! u. t. P+ q" o6 ?
    7 \% x! l  z# h, \5 I

    # U4 j) Q% x  d  W电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及最后组装时,若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直,都有可能造成‘扭曲破裂’这类的损坏。
    * f( n( f# n) T! u
    1 l- l  r5 ], A5 _5 {1 a8 l1 I' N- D, a5 w: ~
    在机械力作用下板材弯曲变形时,陶瓷的活动范围受端位及焊点限制,破裂就会在陶瓷的端接界面处形成,这种破裂会从形成的位置开始,从45°角向端接蔓延开来。
    . Y  k8 p' Q7 S1 o. `$ E' T0 l5 Q
    ' S5 I; W9 h4 r- Z  r1 L& K. I2 _. W3 l% F: @# P
    (3)原材失效7 b4 Q$ L3 Z0 X6 |! ?8 ?
    多层陶瓷电容器通常具有2大类类足以损害产品可靠性的基本可见内部缺陷:! V: G1 U; c' ~1 M, j

    , @+ r6 [5 u. L2 _* A- w
    6 n1 k/ F9 F, y8 I! C2 G* d电极间失效及结合线破裂燃烧破裂。
    # [+ b/ O# r7 i2 m这些缺陷都会造成电流过量,因而损害到组件的可靠性,详细说明如下:
    6 k+ ?) I- h; ]* |+ A9 a1、电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙,或电介质层与相对电极间存在的空隙引起,使电极间是电介质层裂开,成为潜伏性的漏电危机;7 K( z( x' W9 b3 p
    2、燃烧破裂的特性与电极垂直,且一般源自电极边缘或终端。假如显示出破裂是垂直的话,则它们应是由燃烧所引起;, E( ~  [$ z: e, s

    7 t+ y' ?1 S8 |* s0 }- r2 D
    备注:原材失效类中第一种失效因平行电容内部层结构分离程度不易测出,第三种垂直结构金相则能保证测出
    6 B1 Z1 e7 ~5 M3 j+ _
    0 z+ {5 P8 y! a+ t2 u  V5 b. o) z: u; u- ?) Q# ^
    结论:
    5 l4 o* k* i  g9 i6 N由热击所造成的破裂会由表面蔓延至组件内部,而过大的机械性张力所引起的损害,则可由组件表面或内部形成,这些破损均会以近乎45°角的方向蔓延,至于原材失效,则会带来与内部电极垂直或平行的破裂。  Q; F8 Q7 P5 q2 W/ ]2 F
    另外:热击破裂一般由一个端接蔓延至另一个端接﹐由取放机造成的破裂﹐则在端接下面出现多个破裂点﹐而因电路板扭曲而造成的损坏﹐通常则只有一个破裂点。

    0 y4 T, R- g6 T9 W. R# Y4 m: I

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2019-11-29 15:49 | 只看该作者
    很少见的陶瓷电容资料,不错
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