TA的每日心情 | 奋斗
2020-9-2 15:06 |
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签到天数: 2 天 [LV.1]初来乍到
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为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。
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0 u# @/ g5 s$ i. c: o! j7 A封装创新涉及的领域包括更广泛的额定电流和额定电压、散热及故障保护机制等。本文列出了工程师在为半导体器件评估封装技术特性时需要考虑的关键因素。- B2 p4 h6 i* f L( A: b
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我们从最通常的疑惑开始：小型的封装尺寸。5 w, r8 t+ ?5 T$ J! r( q9 ~
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! W6 O& G; ?! J1. 更小的封装尺寸
8 r5 N0 O1 l! G7 ]现在，我们希望 IC 封装能够节省电路板空间，帮助实现更坚固的设计，并通过省去一些外部元器件来降低 PCB 的组装成本。因此，业界正在对诸如 D2PAK 7 的 IC 封装技术进行优化，以期以相同的尺寸和引出线容纳面积增加高达 20%的裸片。) W' C$ {% o( v# p+ x `
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0 Z, Z1 d/ Q: C新的封装设计还提供了可互换引出线选择，从而最大限度地利用尺寸，并提供更大的设计灵活性。然后是直插或曲插引脚式封装，这有助于优化电路板空间和所需的引脚分离。
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5 K- G; R# V5 }9 V3 m* N# d F: L# s业界也正在开发一些阈值电压在逻辑电平、面向电池供电设计的新封装，这样的封装使微控制器可以直接驱动诸如 MOSFET 的功率器件。此举也相应节省了电路板空间。; o& X6 l X0 A
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2. 功率密度
0 s% y$ B% [2 Q0 e' K# K电机驱动器、太阳能逆变器和电源等等产品对功率芯片和模块的需求在不断增长，这拉动了在不增加封装尺寸的条件下对更高功率密度的需求。
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% R# Q" h2 ^0 o$ P设计师如何在保持封装鲁棒性和可靠性的同时，提高功率密度？首先，封装可以采用更大的引线框架面积，从而可以容纳诸如 IGBT 的更大的功率芯片。这也实现了较低的封装热阻，而有利于改善散热。% m( W! d: T& \2 ~
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以意法半导体（ST）的新系统级封装（SiP）PWD13F60 为例，它将 4 个功率 MOSFET 集成在了比同类电路小 60%的封装内。PWD13F60 封装集成了面向功率 MOSFET 的栅极驱动器、面向上侧驱动的自举二极管、交叉传导保护和欠压锁定。
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3. 散热效率
6 a8 f5 x* | w/ e8 _# |由于像 IGBT 这样的器件工作在较低温度可减小器件上的应力，因此封装的散热性能与其可靠性存在内在联系。由于温度较低所需的散热器尺寸就不大，因此散热特性也会影响散热器大小。此外，冷却要求的降低也为设计者在增加功率密度方面留有更大余地。- s5 m1 l) \: Y* t) n: y- i" Q6 ]
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) \& q0 W& c0 ^* B Y( Q4. 散热. I, o: d6 e0 o8 V6 r
用于在封装内部产生隔离的常规方法通常既昂贵又难以处理。而且，它们远不足以管理 IGBT 等高功率密度器件的散热。1 [, e! V/ K5 m; Y
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5. 开关损耗0 V3 ]5 T" H7 e. Z0 [6 L
特别是对像工业驱动器等器件中工作频率高达 20kHz 的硬开关电路，为提高封装效率，减少开关损耗势在必行。此外，可靠的开关和低 EMI 增强了小功率应用中的无散热器工作。& h; T$ R7 K, X. R6 V2 R
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发表于 2021-1-20 13:32
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