TA的每日心情 | 开心 2025-11-22 15:00 |
|---|
签到天数: 1286 天 [LV.10]以坛为家III
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
提问:
+ [# j, X: r5 R1 t$ K# L
. y+ U& H. f$ C7 Y5 D6 ` P+ j
% Y' D4 _, S, O4 ^7 t1)请问为什么AB两点点位存在差异。Port端口处的EMI为什么就会大幅度增大呢???
+ O! g2 P' ^/ m' E' C这个共模辐射是怎么产生的呢???4 \2 k/ j! G% u
2 V; {* p/ e' J4 h, i
2)辐射增大的原因主要是GND平面的高电位处的电流流向低点位处而产生的呢???7 Y2 \) W( y2 ?% i5 E# _
还是通过共模信号产生的呢???还是说都有这两个原因呢???
; l0 @' T7 L: j7 P6 B电流的路径又是怎么流的呢???9 y7 _4 \! {- h! l6 S4 g
+ W7 ~& _5 x, j" i3 d
2 P* A( t& H4 C- F3 V/ E& v6 ]/ y
|
|