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Boost电路参数的一些问题

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1#
发表于 2019-6-8 20:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
$ _. O( i9 T% b
最近在理解电感的参数/特性,以boost电路来说,mos管开启的时候,Vin对电感充电。
. M6 q9 [4 ]+ }  j0 ^7 Q看了一篇boost电路的介绍,看到mos管电流如下图,觉得奇怪,像是电感充电阶段的电流全部流入GND,这样的话,boost的效率不是很低?, _% I; ^& d- p) o+ ^) e
1 c/ Y3 e; {* ]. J! N" b2 ]& I
  j3 i5 C) L2 L! i4 @  }
但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet,TPS61256,效率高达93%
; q  ?. \% V6 ~9 M' Z7 {
, v* v9 A& n3 H( L$ b  [所以想问一下
9 [! A' Y  s3 F1.一般来说,boost电路电感充电的时候,电流是不是基本不经过MOS到GND?不经过MOS管到GND好像没有完整的回路,这个应该怎么去理解这个电路行为?
! `9 A" M+ u$ W5 i3 Z2.如果确实如上图所示,有较大一部分电流流经MOS到GND,这个有计算公式或者资料推荐么?那效率是怎么做上去的?/ e' G. e0 ?+ }: {1 e4 _, }: }0 a
3 o" y; r" A0 F7 F

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4#
发表于 2019-6-10 10:17 | 只看该作者
本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑
! b! Q' v3 c9 T: w1 ?; B6 T! ~" x8 u
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
# ^1 p; I& f, j& H5 k- |2. 损耗的能力主要是电感的DCR,MOS的导通 开关损耗。
+ }% J% r1 i  O+ Q  X  i& f3. 效率一般实测,输出功率比上输入功率。    所以减小损耗,低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
2 I0 |' z# A$ X7 S& p# j

点评

哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~! 没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来! 多谢  详情 回复 发表于 2019-6-10 21:59

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6#
 楼主| 发表于 2019-6-10 21:59 | 只看该作者
curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
* l- f7 c/ o; N0 P- s感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
; N' A! X9 z5 O) {: c  h ...
" N6 W6 G  z! X# S) ]
哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~!9 c1 u$ b9 S* q/ G
没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来!) r9 q# K& C4 v3 y
多谢
+ |0 N! Q- ?! o  _2 r

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7#
 楼主| 发表于 2019-6-10 22:09 | 只看该作者
5 t9 v6 c( K& E  _& T
* ]9 m1 M8 |; h5 U( g* ]& b
看一下电感两端的波形,理想值:VL =VS,电感上的功率P=IxVs,相当于全部功做在电感上3 Q0 d# J$ D4 r. y# y9 m9 s! O* C
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧,不知道有没有大神有相关的资料可以看看
- Y/ N1 x: F9 X7 Q1 `

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8#
发表于 2019-6-10 22:16 | 只看该作者

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10#
 楼主| 发表于 2019-6-11 12:13 | 只看该作者
. s3 l* E! M7 G* l- M; V3 b

' S" G- h* a' x$ N0 J% \' U( l多谢????
5 k" k; s: ?/ v3 q7 i+ A. q2 A* N$ o: p5 \8 p

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    发表于 2019-6-13 00:18 | 只看该作者
    感谢分析

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    发表于 2019-9-16 10:14 | 只看该作者
    看一下电路分析
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