徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

煮酒fu · 发表于 2015-6-3 14:20

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本帖最后由煮酒fu 于 2015-6-3 14:22 编辑

图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。

我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？

问题三， ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。

H = 板材的厚度             这个我打算换成fr-4 1mm
Er  = 板材的介电常数    这个我打算换成4.2
Mur = 1                         这个参数不清楚什么意思？
cond=1.0E+50             这个参数不清楚什么意思？
Hu = 1.0e+0.33             这个参数不清楚什么意思？
T                                  铜厚度，这个清楚
TanD= 0.0037             这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

Xuxingfu · 发表于 2015-6-3 14:31

1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大
4.可以
5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

煮酒fu · 发表于 2015-6-3 14:42

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:317 p1 _. m; n9 ]$ T1 m6 l
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
) T. i8 [/ H8 R( W8 S7 o2.对的- h( p- t. ]7 G1 g4 R; i0 V4 J; J
3.频率很近，影响不大

谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？

煮酒fu · 发表于 2015-6-3 14:49

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
! U9 h! h) `8 G0 u( d1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
% d" c4 G, N+ {: } t2.对的
" Q4 _$ A! k3 J! w+ r Z3 i; v3.频率很近，影响不大

已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？

煮酒fu · 发表于 2015-6-3 15:47

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31) k. s/ A6 B X' ^
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
3 E: z3 i' L1 b/ n1 G, ]2.对的
" ^! ]0 {8 r o2 O- F0 `2 x8 k; w3.频率很近，影响不大

对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？

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