大电流模块短路试验

超級狗 发表于 2025-11-05 13:11:52
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虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹
4 }6 n; a8 A9 y在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。
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* U# V/ R, _- }' GNexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。 + U5 q/ c/ @# v% t- i- N0 u

" g3 X. }5 e# G4 `# z; tNexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网* G2 X% K' ^; U4 F$ O: W( E" {

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Chenmiking 发表于 2025-11-5 21:13
, J7 C# o6 d. Q. I3 ]大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？