以16bit DDR3为例
" b7 a' S. x+ N" E. [* m. b2 @3 v8 Y1 a, {
时钟信号CLK; l# K) F6 v# r; D& {/ C q, ^- [
时钟信号CLK的长度要求如下:3 u+ {& v, C- H6 l5 h
1、 CLK信号走线长度最长不能超过4inch;& @8 v$ ~1 t! D) e, O
2、 CLK差分对信号走线严格走差分,差分对内部走线的长度差推荐小于5mil,即:|LCLKxP-LCLKxN| < 5mil; , [1 s) r" c0 ]: q2 D
3、DDR走线线宽和线间距不能小于4mil。 1 ~8 t. n7 i7 `: o
" O7 J8 J' j. @ }' H8 I$ A8 Q8 R% H数据选通信号线DQS
) e+ `- ^2 ~1 q* `9 j, c数据选通信号线DQS的长度要求如下:
+ y9 |3 Z" ?' D; O: k1、DQS差分对内部两根信号线严格等长,差分走线长度偏差推荐小于5mil,即:|LDQSxP-LDQSxN| < 5mil;
" f$ k6 M7 d/ R2 C* q' g. z2、DQS以CLK时钟走线长度为参照进行走线,其走线长度相对于CLK的走线长度允许的偏差为±250mil,即:LDQSx = LCLKx +/- 250mil。2 x+ [$ m: w9 K, Q2 T& u
) {: L$ T$ w) k+ {. f3 E) j% p+ r
数据信号线DQ[0:31] ! p( s( n8 n ?- ]$ S- x. q
数据信号线DQ[31:0]的走线长度以DQS作为参考,偏差50mil,具体如下:/ h9 }0 f1 [9 x: M( ]
1、DQ[7:0]以DQS0的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mi,即:LDQ[7:0] = LDQS0 +/- 50mil;% `% r9 K0 ~7 U' M
2、DQ[15:8]以DQS1的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil,即:LDQ[15:8] = LDQS1 +/- 50mil;
5 ~# q$ S! J8 C; @; M. ~3、 DQ[23:16]以DQS2的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil,即:LDQ[23:16] = LDQS2 +/- 50mil;2 A% Z; C1 e$ V; B; J- {
4、DQ[31:24]以DQS3的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil,即:LDQ[31:24] = LDQS3 +/- 50mil;
/ e& _* [, t& }. i) ]& k& K; w5、数据走线推荐以GND层为参考平面,在无法满足的情况下,要求同组同层走线。$ R8 m7 f& \% a" N0 J& T! R
- Q+ g) `* C( [% j- z- A4 h数据掩码信号线DM
q# c8 Z/ b' `8 q$ M- R数据掩码信号线DM的走线长度以DQS为参考,要求如下:4 v: k" s" Y2 J/ ?
1、DM0以DQS0的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。
# O1 k/ A( ~" n2 Y! `7 R2、DM1以DQS1的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。) S& X, J' D/ |: D& d. N9 w; D7 b
3、DM2以DQS2的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。2 x' W/ L0 W4 A- N# U% ^! [
4、DM3以DQS3的走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为50mil。
4 {, n* r% R% m
' \) \! a3 s n+ j/ g0 z地址信号线ADDR[0:14; G' E2 }: f: |; y
地址信号线ADDR[0:14]的长度要求如下:
" r/ C, r( z, u5 ]- H1、ADDR[0:14]以CLK时钟走线长度为参照进行走线,允许的差范围为100mil,即:LADDR = LCLK +/- 100mil; * ^; D. N; r4 M2 Q0 W3 J
2、地址线采用T型走线,T点到主芯片端管脚的走线,最长不超过2inch;T点到DDR颗粒端管脚的走线,最长不超过1inch。
& K; @+ W" |/ ?5 H
9 x' ?& Z' U* b. Q8 r控制信号线1 u" i) O1 O( A' V! ?5 I) w
控制信号线BA[0:2]、DM、CKE、CSN、WEN、CASN、RASN、ODT的长度要求如下:
# \6 B; y4 B9 f! M+ H1、控制信号线以CLK时钟走线长度为参照进行走线,允许偏差范围为100mil;* \, n" b/ P8 M. @6 s/ w; @, M
2、为减小信号反射,建议所有DDR3 SDRAM接口信号走线避免穿越电源地分割区域,保持完整的电源地参考平面,单板PCB设计时传输线阻抗控制在50Ω±10%,DDR3时钟差分线阻抗控制在100Ω±10%。
1 J- `; b# r9 X) s1 F) O' d$ s- O/ \/ `
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