DDR3同组的数据线不一定要走在同层？

leoyin · 发表于 2016-9-19 10:33

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只要是走在对称的层叠中，上下有地层屏蔽，且与其它组数据线保持足够间距，DDR3同组的数据线不一定要走在同层，这种走法是否可行？

TONY11992 · 发表于 2016-9-19 11:25

没试过！手册上写的就是同组同层

superlish · 发表于 2016-9-19 17:51

个人认为就阻抗来说应该都会控制的，但是有个时序问题应该要注意，这个容易被忽略掉。
比如一个2MM的板，走在TOP 和 BOTTOM 。如果不算孔的的长度，也就大概是板厚，那么走在BOTTOM的线会比TOP的线长一个来回，也就是大概4MM

，其他的不同层的类似 (这时候要设置叠层把孔算进去，而有些软件是不算孔的，你就看着办吧

)

而走在同层就不需要考虑这个问题?一组线同时增加或同时减小的孔长都是一样的，所处环境都一样，算不算在内都是等长的。
有些客户要求必须要相同的孔，也就是明明有些线TOP可以直接走的，但是一定要打多两个孔到BOTTOM和其他线一样，也就不难理解了

leoyin · 发表于 2016-9-19 17:59

superlish 发表于 2016-9-19 17:51
% M* h; h9 J; ^7 ^个人认为就阻抗来说应该都会控制的，但是有个时序问题应该要注意，这个容易被忽略掉。
5 G( X" s% ?: w# i5 g; ?6 @( k比如一个2MM的板， ...

TKS.

zukimotor · 发表于 2016-9-20 14:20

1.各层的阻抗控制是有误差的。
2.过孔的延时比较难计算，等长误差会比较大。
3.由于参考的平面层不同，电源对不同层的线造成的影响也不同。
但是，如果DDR3的速率用的不高的话，比如1066或一下，应该问题不大。
有条件的话建议通过仿真验证^_^

980155498cai · 发表于 2016-9-20 19:32

必须同组同层走线

djadfas · 发表于 2016-9-22 11:57

最好同层防止VIA等换层带来的误差当然个别线无法走的到其他层也可以的

刘兵0916 · 发表于 2016-9-23 10:20

不同层也不是完全的不可以，主要看你回流平面的选取，以及总体的冗余做了多少，各方面都很合适，也能够很稳定

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