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[仿真讨论] DDR3布线 Break in 和Break out区域,怎么理解??

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1#
发表于 2015-3-10 13:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR3内存布线的时候,DG中分了好几个区域,region A region B region C region D,文中反复提到Break in Break OUT,
3 S5 \2 b7 h* {) K% y  v# x3 {1 ~2 F% F/ D7 p" l5 k: s' m
不知道怎么去理解这两个意思,通常我们break指的是线散出,难道这里的IN和out只是表示方向么?还是有其他的意识??
3 X3 V$ {# d& q. e+ k+ Q" J

该用户从未签到

2#
发表于 2015-3-10 15:18 | 只看该作者
这个问题还真是文化的问题,如下是我个人的理解:
. r0 c/ r6 ~2 T1 {: r1 j- C% R8 j- V, w! G, O1 ~
我理解的的break一般是指BGA封装下面不能按正常线宽出线的地方,至于你说的break in/out,
# I# x8 [" e8 N: i 3 z& i( z0 A# ^
应该和你的设计领域有关,DDR3的数据线是双向的,如果从Controler--->>DRAM,如果都是BGA2 O2 o  y, v. N. }) a/ W  M
0 k' X3 Y; a0 ]6 g: Q
的封装,在Controler下面应该是break out,再进入DRAM的BGA封装下面的时候,就应该是break in了,
9 }& X+ K. f# C" I6 J) h# T& e+ B9 }/ O! d' E6 [; H
你会去看下你的design guide是不是这样理解。
9 F* U2 d4 A2 h: b
; \+ x1 V- i9 B1 a" y( `; E: j' d有时候国外很多做硬件的老外都是老印,老墨,华人,稍微理解下他们的文化,再理解起来会容易些。

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红孩儿 + 1 很给力!

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3#
发表于 2015-3-10 16:15 | 只看该作者
对于这种英文有歧义的地方,可以直接咨询FAE。因为有些术语是部分芯片公司的习惯用法。

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该用户从未签到

4#
 楼主| 发表于 2015-3-10 16:21 | 只看该作者
多谢2位版主。。
  • TA的每日心情

    2024-8-4 15:31
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    5#
    发表于 2015-3-16 15:18 | 只看该作者
    谢谢,学习下

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2016-3-15 16:59 来自手机 | 只看该作者
    这个问题一直模糊着我
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