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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › 电流监测电路工作原理 求指教
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电流监测电路工作原理 求指教

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fly_pigeon

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1#
发表于 2015-3-25 15:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个电流监测电路的工作原理是如何实现的，求大侠指教，在线坐等回复
6 X$ {. R! V; M/ U

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zlpkcnm

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2#
发表于 2015-3-25 15:28 | 只看该作者
图2，通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V, [' u. c8 p# D
再仔细对照下图1中那个芯片资料，应该就有你要的答案了。

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fly_pigeon
我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:45

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fallen

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3#
发表于 2015-3-25 15:38 | 只看该作者
典型的高位电流检测，而且你的图纸有问题，IN+是接R，IN-接S，R701也过大，一般都是0.4R以下，看电流。

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fly_pigeon
图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这个电阻也不算大  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:44

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fly_pigeon

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4#
 楼主| 发表于 2015-3-26 08:44 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 15:38/ R& X4 v! D4 Y3 T- T2 v
典型的高位电流检测，而且你的图纸有问题，IN+是接R，IN-接S，R701也过大，一般都是0.4R以下，看电流。
& J$ C4 X4 y# g1 e  @! f6 f9 F# c
图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这个电阻也不算大  d5 G+ {7 k0 ?- {9 L( Y

点评

fallen
没有问题？ 先看电流，1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降，你在大电流的压降那么大，能正确反映被测IC的电流？ 再看高位电流检测，我看了规格书，我之前说的IN+/IN-的接法是错的，你这个IC确实要反过  详情 回复 发表于 2015-3-26 10:29

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fly_pigeon

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-26 08:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-25 15:28
" \& A6 L! Z" P图2，通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V; E7 B& R7 g$ U5 `
再仔细对照下图1中那个芯片资料，应该就有你要的答案了。

+ D/ i( b. j4 i我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？
9 f: j& t, D' q& Q. G7 v

点评

zlpkcnm
IN+端口原理图上面的电阻可有可无，那是因为芯片内部是比较器（比较器特点：虚短虚断）。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧（这个我猜的）IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短  详情 回复 发表于 2015-3-26 09:12

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zlpkcnm

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6#
发表于 2015-3-26 09:12 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:45
5 }" @$ ^  s1 i% D* }我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻，IN+端口没有电阻，有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思？

) C3 @! Z2 |1 i" o7 @IN+端口原理图上面的电阻可有可无，那是因为芯片内部是比较器（比较器特点：虚短虚断）。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧（这个我猜的）IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短虚断特点计算的。9 i2 V  G  `$ s9 t) G
兄弟
% ?4 _, J, B0 F7 Y, C芯片内部的逻辑结构图也是比较重要的一部分，需要仔细研究下- Q; y5 q& y9 J# V: A

0 A6 c0 W* z' L. F" p9 `
% p/ n5 v8 x) N4 ~2 g写了这么多希望对你有帮助2 q  ~4 a8 c. z* Y. `: [

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fallen

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7#
发表于 2015-3-26 10:29 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:44
. k' i" A# K! Z; H0 H* v图纸应该没有问题，这个是人家已经设计好的，成品模块我都测试了，我们要检测的电流是1uA-150mA，所以这 ...
: a0 `0 C) M( E/ r, h8 f* l
没有问题？5 B/ O, ]+ b2 F# G' }
先看电流，1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降，你在大电流的压降那么大，能正确反映被测IC的电流？% _+ {) v1 ]3 k  j
再看高位电流检测，我看了规格书，我之前说的IN+/IN-的接法是错的，你这个IC确实要反过来接。而且这个输入失调电压就是10uV，你还能测试4.7uV?
; v) u) e& `' z; E: R

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yujingfa

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8#
发表于 2015-3-26 12:43 | 只看该作者
原理很简单的，简单画了个图。原理如下：MOS管U2引入负反馈，满足虚短条件，即运放正反相输入端的电压值相等。那么R1*Icheck=R2*I2（Icheck为检测电流，I2为流过R2电流）。又mos栅极及运放输入端阻抗极大，故流过R2的电流与R3的电流一致所以mos管源级电压为Vout=R1*Icheck*R3/ R2。   按规格描述电路基本正确，具体参数在算算，呵呵。后面那级二阶低通滤波？滤啥子啊？" U4 J  B( T' T# @

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我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~  详情 回复 发表于 2015-3-26 13:46

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zlpkcnm

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发表于 2015-3-26 13:46 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 12:43
4 D1 J4 c( E% h! N: M3 L- s$ X  G# f" w原理很简单的，简单画了个图。原理如下：MOS管U2引入负反馈，满足虚短条件，即运放正反相输入端的电压值相 ...
1 m. e/ g  ~" J4 ~
我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~2 k* Z' w1 Q  \0 c# A% v

* b9 y3 u4 X- u1 V5 w9 d( e

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yujingfa
PMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的，当然楼主的芯片确实应该用PMOS  详情 回复 发表于 2015-3-26 16:45

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yujingfa

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发表于 2015-3-26 16:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-26 13:46& O# h0 f. {3 r7 [/ Y- E
我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~
2 ^1 @. s4 O) e% U' T
PMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的，当然楼主的芯片确实应该用PMOS! i+ E% K8 L! z' K' W) n

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zlpkcnm
恩，没错。所以该PMOS，运放正负端交换即可  详情 回复 发表于 2015-3-26 17:03

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发表于 2015-3-26 17:03 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 16:45
- a4 l# D5 x: u7 zPMOS我的那个电路不能导通mos吧，反过来想，运放输出端要高于电源电压，不能做到。我的这个是跟楼主芯片 ...
6 d! ?- h! W# j3 t2 |. J
恩，没错。所以该PMOS，运放正负端交换即可0 }: Q. f+ n% T9 n8 @$ Z5 t

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