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低导通是FHK94N50A场效应管适用于1800W汽车功放的关键之一

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 楼主| 发表于 2024-9-23 13:25 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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汽车作为中国新产业增长的引擎之一,直接带动整个产业链的发展。而汽车功放则是其中之一,如何提升汽车功放的效果性能呢?% b2 S/ J! v: C1 P/ e2 }
7 I. T. E5 }8 a* E; T
低导通的MOS管必然是一个重要因素,在国产化没有普及之前大家都在使用IXFK94N50P2型号的MOS在1800W汽车功放中。而对于国产化已经很成熟的情况下,如何选择一款可代换IXFK94N50P2型号的国产MOS管就显得很重要。
# b+ `6 ?1 R6 N6 h9 o/ _9 O: W; W2 X3 ?  j% Q5 {2 G' k% A

* F0 R! P% {9 f& R为什么是低导通呢?因为在1800W汽车功放的功率放大电路中,选用具有低导通电阻和高输入阻抗特点的MOS管,能够在大功率音频信号的放大过程中,以较低的导通损耗实现高效放大。5 S/ K$ P. }/ A& B4 H, r" U3 G
! F+ ^( U1 Q/ b! p; U
而FHK94N50A型号场效应管是因其参数性能能完美在1800W汽车功放中使用从而获得市场认可的。除了最基本的94A、500V参数外,还因其具备优秀的产品特点:
% B4 e% t% W; ?+ w  o9 x) r8 ]3 G2 @1、低导通内阻和低Qg
& D  I8 w) d$ J4 z8 [7 I2、高抗dv/dt能力
7 f# T1 J* R0 H2 C+ v. ~3、100% DVDS热阻测试,散热性能好
% I" L  C4 r' e; U8 w! I1 G4、100% 经过Rg测试: L' ~. P/ u' V; L1 {
5、100% EAS测试,高雪崩耐量,抗冲击能力强8 s9 D2 R8 j  C. g' X! i4 p
6、测试标准高,100%各项参数测试+VTH分档,参数一致性好2 q  q" i3 L  b8 ]) w: s
7、可靠性高( R& s0 p( `: P
8、集成快恢复反向二极管
4 e# b/ S9 k. K2 Y! V* N  D5 L
1 V7 T2 a8 j& v
' l5 w1 ?$ b& @3 X  B6 T
当然除了产品具备的优良特点外,FHK94N50A能替代IXFK94N50P2高压MOS管型号型号其还具备优良的参数:) b( W; O1 y3 C* p

2 x+ ~+ Q; |0 H$ ^; C# s# u* E1、N沟道增强型VDMOS-with frd% z. m$ [2 l- m; \2 Q/ ^3 d
2、TO-264封装大小适合电路! Q1 {/ |! G6 m, ?% L
3、Vgs(±V):30;VGS(th):3.0-5.0V;
; Y+ q2 W% U" N: K! B2 L3 g4、ID(A):94A;BVdss(V):500V' S3 r, q; Z( L/ ^2 B
5、最大脉冲漏极电流(IDM ):376A
3 S5 Q& K% m4 A- B6、反向传输电容:58pF
  w0 y0 u4 s3 ]* J4 g. g$ L7、静态导通电阻RDS(on) = 65mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) =47mΩ(TYP) @VGS = 10 V
5 i" ^; N, l  k% Y' W
- H( D; d! P7 v2 i) ]7 X$ `7 D; J

5 ~7 A9 g3 Z! b- p飞虹半导体的产品应用都是经过市场应用检验的,除该款产品可直接替代IXFK94N50P2使用外。飞虹半导体的工程师建议整体电路需要4个可以FHK94N50A型号场效应管并搭配8个FHA60F60CA型号,TO-247-2L封装的场效应管来使用,效果更佳。
; s8 D* }- Q) x2 F# ]' b0 G! \, j% `! u
飞虹半导体在为电子厂商专业的产品,一站式配齐功率器件的服务,始终站在用户需求出发。
, f: i! {6 _8 C" i: }8 f; Z$ z
, w; X8 S( N* b7 v它良好的制作工艺与参数性能给1800W汽车功放做更好的适配,保障产品的可靠性。
0 O- A& ^7 D1 ]4 v
* ~/ X- E* g. Z- l( S4 j% m市场快速迭代,技术提升因此选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业,为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可
3 ]: j- a3 n& V2 C2 J. I. V( @5 @! q
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