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MOS管关断后电压下降为什么这么缓慢?

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1#
发表于 2022-10-10 10:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位兄弟帮忙看看!鄙人是软件工程师,硬件只是懂一点。
: [0 n0 o: D/ f: P% ?3 y' L- z' Q* k7 U  U5 _
问题是这样的,我这里是要用两个MOS做发码,上下管分别关断和导通,实现5v/0v的切换。原理是控制PMOS开,NMOS关,L+/R+输出5v;PMOS关,NMOS开,L+/R+输出0v。. ]2 t" b) A0 ^9 N3 H8 L" G
, D; `6 e7 ]& c2 H
我在输出5V时,先关NMOS,延时十几us再打开PMOS;我在输出0V时,先关PMOS,延时十几us再打开NMOS;
" F$ p* l$ G0 t% _" v: a) p3 B. F1 Q6 I  k: a
但是在L+/R+端测出来的波形,会在我关断MOS后时延迟好久才掉下来,只在下降沿会这样,上升沿很迅速。" W$ V5 I+ |. T( M) y+ W- T
& I2 Q0 A2 Q) }0 v7 |
如图所示,有将近1.5ms时间:% @$ S8 t) W1 T3 r4 M; \
" S7 @+ k# b- h1 w4 V
这是原理图,说一下我排查问题时有做过的方法。7 d9 k. L6 V, }- ^3 Y, Y

  V: Z& Q; d. X' L: C+ P; }1、有试过减小R27电阻,更换成1M时有减少100US左右,但是还是下降的很慢,换成10k后也没多大变化。2 Y3 P' `9 E. Z* z
2、有去掉C11和减少C11的容值,去掉C11也是下降缓慢,改为4.7uF同样没多少改变,而且还有很多杂波。& Y) a+ }: L6 U. V; x/ w
3、有把2N700T这个NMOS管换成3400,我也不知道是哪个参数会有影响,但是换了后没有什么变化。; I/ V' ]5 P- ]* u9 U
0 M. W$ Z# }! |3 z9 e" g- ?/ k
2N7002T参数:7 U' \. E, E2 `' A
& O% t$ B& H/ X2 c, p8 c
3400参数:
, U; V* d. a& i + f$ m* h% V2 V: a
4、有去掉两个ESD,没有作用。
8 q3 P& }/ k6 d5、中间的R11限流电阻,有改小为33欧、20欧,波形会有点失真,有减少几百us时间,还是会缓慢下降。
: g# w+ a2 J$ N- U: r$ E5 d
$ t) h+ @2 v+ \4 {3 H& q现在我已经不知道还能怎么改了,有大神给点建议吗?

该用户从未签到

2#
发表于 2022-10-10 13:24 | 只看该作者
R13过大,1MΩ太大了!通常在10KΩ左右就行。

该用户从未签到

3#
发表于 2022-10-10 13:43 | 只看该作者
R11直接改成0吧!还有,上面的P管,你确定是完全关断的么???PH2O跟VOUT是一样的电压么!

该用户从未签到

4#
发表于 2022-10-10 14:53 | 只看该作者
先看看芯片输出那的波形对不对,然后一路向后依次查找,看看到哪波形就不对了!!!
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