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LED封装技术的要素有三点：封装结构设计、选用合适封装材料和工艺水平，目前LED封装结构形式有100多种，主要的封装类型有Lamp系列40多种、 SMD（chip LED和TOP LED）系列30多种、COB系列30多种、PLCC、大功率封装、光集成封装和模块化封装等，封装技术的发展要紧跟和满足LED应用产品发展的需要。
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& g/ a/ u u M. H- L LED封装技术的基本内容9 C0 o7 e$ E8 r+ c
8 M- z) B/ a4 u) x, B LED封装技术的基本要求是：提高出光效率、高光色性能及器件可靠性。1 `" p2 @% C! h$ k% I
) o2 e4 B2 h; u （1）提高出光效率% ~% p7 W7 E4 h+ O3 ]' _; o9 L( e
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LED封装的出光效率一般可达80~90%。! @) ^6 @/ W; ?: B- e5 t4 |! `
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①选用透明度更好的封装材料：透明度≥95%（1mm厚度），折射率大于1.5等。) x0 F i' c- S4 h S: Z2 @
! ^- U5 Q, l0 F2 N- ~' p/ L ②选用高激发效率、高显性的荧光粉，颗粒大小适当。, Q3 o* w( M. ^# a" z/ b0 [* U
& n2 G8 i" `. K0 x$ A Q1 v/ M ③装片基板（反射杯）要有高反射率，出光率高的光学设计外形。 H* B ]; B" \1 B, a) K% i8 d
1 n) U, y: ?' g$ Q( W8 f, i ④选用合适的封装工艺，特别是涂覆工艺。
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（2）高光色性能+ @, J2 w: V) c7 K* R4 E
8 W: k+ G B% T; `7 t2 Q+ ^ LED主要的光色技术参数有：高度、眩光、色温、显色性、色容差、光闪烁等。4 y; n8 r/ i u: k1 g* F
5 L! a5 m, r7 V4 H. Y9 G' i 显色指数CRI≥70（室外）、≥80（室外）、≥90（美术馆等）7 r4 l8 {2 @9 m/ c6 ~ N; o
9 I% v' z" b+ _% l& ` 色容差≤3 SDCM、≤5 SDCM（全寿命期间）
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封装上要采用多基色组合来实现，重点改善LED辐射的光谱量分布SPD，向太阳光的光谱量分布靠近。要重视量子点荧光粉的开发和应用，来实现更好的光色质量。
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（3）LED器件可靠性
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! m, G; U% S) |" [, Y LED可靠性包含在不同条件下LED器件性能变化及各种失效模式机理（LED封装材料退化、综合应力的影响等），这是主要提到可靠性的表征值—寿命，目前LED器件寿命一般为3~5小时，可达5~10万小时。
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①选用合适的封装材料：结合力要大、应力小、匹配好、气密性好、耐温、耐湿（低吸水性）、抗紫外光等。5 M4 s6 e2 f6 a! t5 G7 R. ]
# q7 ]+ R2 p( a& ? p0 Y/ D ②封装散热材料：高导热率和高导电率的基板，高导热率、高导电率和高强度的固晶材料，应力要小。+ b- D+ i: h7 Z/ h
6 N; f# b& |" c2 J3 p t/ a ③合适的封装工艺：装片、压焊、封装等结合力强，应力要小，结合要匹配。
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LED光集成封装技术" N, a+ W; N: S. q9 L0 G
! J4 ]7 x& F ?# p% _: G' A LED光集成封装结构现有30多种类型，正逐步走向系统集成封装，是未来封装技术的发展方向。
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（1）COB集成封装1 k% V% `% f, i- _& ]4 i
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COB集成封装现有MCOB、COMB、MOFB、MLCOB等30多种封装结构形式，COB封装技术日趋成熟，其优点是成本低。COB封装现占LED光源约40%左右市场，光效达160~178 lm/w，热阻可达2℃/w，COB封装是近期LED封装发展的趋势。2 ?7 Q. f7 l3 W4 W
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（2）LED晶园级封装3 ]/ c6 Q( G" m" H/ ]
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晶园级封装从外延做成LED器件只要一次划片，是LED照明光源需求的多系统集成封装形式，一般衬底采用硅材料，无需固晶和压焊，并点胶成型，形成系统集成封装，其优点是可靠性好、成本低，是封装技术发展方向之一。
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（3）COF集成封装
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COF集成封装是在柔性基板上大面积组装中功率LED芯片，它具有高导热、薄层柔性、成本低、出光均匀、高光效、可弯曲的面光源等优点，可提供线光源、面光源和三维光源的各种LED产品，也可满足LED现代照明、个性化照明要求，也可作为通用型的封装组件，市场前景看好。
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（4）LED模块化集成封装
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模块化集成封装一般指将LED芯片、驱动电源、控制部分（含IP地址）、零件等进行系统集成封装，统称为LED模块，具有节约材料、降低成本、可进行标准化生产、维护方便等很多优点，是LED封装技术发展的方向。
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: n. S* X F& O4 `" s （5）覆晶封装技术
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覆晶封装技术是由芯片、衬底、凸块形成了一个空间，这样封装出来的芯片具有体积小、性能高、连线短等优点，采用陶瓷基板、覆晶芯片、共晶工艺、直接压合等来达到高功率照明性能要求。用金锡合金将芯片压合在基板上，替代以往的银胶工艺，“直接压合”替代过去“回流焊”，具有优良的导电效果和导热面积。该封装技术是大功率LED封装的重要发展趋势。
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发表于 2021-12-6 11:10
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