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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-2-10 22:59 编辑 G0 h& e& U8 r! W
. _; f' U( y/ q& e消费电子市场持续火爆，不断在拉动快充的需求。伴随快充的兴旺发展，对于MOS管的需求也是同步增长起来的。毕竟整流同步的MOS管能够保证USB PD 快充电源的用电安全，面对一款AON6224参数的管型，国内有替换的场效应管吗？1 V2 U5 p. R5 M' \3 g
- a2 W! j S5 c0 @4 DMOS管作为在国内发展已经算比较久的产业，已经有比较成熟的替换管型可使用了。在国内可用FHN60N1F10L场效应管直接替换AON6224型号MOS管参数使用。
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除了能替代AON6224外，还能替换VSP014N10MS、ZMS100N10N等型号参数的场效应管。为什么是FHN60N1F10L场效应管呢？
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, V. `( ?2 ~7 V1 H- I, Y4 Y! w2 d因为FHN60N1F10LA型号MOS管，目前在国内能比较好的持续供应，毕竟现在MOS管的产能还是蛮欠缺的，除考虑产品优质外，更要考虑产能稳定可持续供应。
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" ]5 ~2 {% m N& ]1 x- Q0 m; g况且它由国内已经专注研发19年的MOS管厂家生产。它良好稳定性决定能够很好的帮助USB PD 快充电源提升稳定，从而保障用电安全。+ p+ w, W% R o8 {6 H7 U% X9 m
: q; E8 y( G1 [4 Z0 T9 qMOS管的替代替换核心要关注参数性能，究竟FHN60N1F10LA国产场效应管为什么说能比较好的替换AON6224型号参数在USB PD 快充电源中使用？
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7 U5 H. B$ V' J: z) U9 U+ V4 ]来看看FHN60N1F10LA的具体产品参数，具有60A、100V的电流、电压，RDS(on) = 10mΩtyp) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，极低的导通内阻RDS(on)，优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)，损耗低。
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$ ?8 P: r: c, j7 r( N& L60N1F10的封装形式会有PDFN5×6。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。5 B# P; C, C, \/ C. j1 l% Y( p& E
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最大脉冲漏极电流（IDM ）：240（A）、静态导通电阻（typ）：10mΩ/12.5mΩ、反向传输电容：11pF。' L2 M1 w, B9 |2 r& b
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在国产化的场效应管替换使用过程中：FHN60N1F10LA型号参数来替换AON6224型号。它采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动等；在使用方面是匹配型号AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N的场效应管。
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$ m; V8 d R s3 }- S. g100V、60A 的MOS管替换使用，选对型号很重要。4 w) ]0 l3 j: h1 G
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发表于 2022-2-10 21:12
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