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检测MOS管五种方法

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发表于 2021-9-2 11:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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* f* |. N7 F3 U2 v, r. e+ B. u" p6 |MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧。但是一些厂商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。那么如何对MOS管进行检测呢?华碧实验室为大家分享检测MOS管的5种方法。
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) c  \2 n1 m' Z. T8 t8 e- V/ ~: I一、用测电阻法判别MOS管的电极
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根据MOS管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出MOS管的三个电极。" g6 c& Q( O7 Z0 E5 b+ f! n
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具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对MOS管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。
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二、用测电阻法判别MOS管的好坏% c" F6 K( |: I. t

0 q  Z+ j4 ?: Z* c0 ]测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
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3 b2 s" \. Y# n9 G1 j具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。9 E/ {6 }- A5 D4 Z  s' V0 g

! N, H" e* I# b# R% O! u三、用感应信号输人法估测MOS管的放大能力
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' m/ |' N2 ^# R3 ]# s! |8 L具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住MOS管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。% V8 A2 Z6 a8 Q/ V* L2 V- f6 W
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根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。% H: s  t4 x3 h4 V# Y* W
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四、用测电阻法判别无标志的MOS管
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% [7 l6 W3 ?5 h, [0 H; @7 {# M首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
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7 Y4 G3 G5 y! |8 E: d# o( x8 J' o五、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小& M& o, m7 K- i7 g3 J  X

( L& @6 e4 W6 T1 H对MOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。
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发表于 2021-9-2 13:51 | 只看该作者
MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体

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发表于 2021-9-2 13:51 | 只看该作者
MOS管因导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧

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发表于 2021-9-2 13:52 | 只看该作者
根据MOS管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出MOS管的三个电极
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