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请教:关于金手指的一个小问题

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1#
发表于 2011-10-27 15:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位,最近画金手指,参考他人设计,发现金手指及其邻近区域的内层都刻意的不覆铜,
7 \" H) K7 ?# Q: H: \; a$ N# v8 P' Q7 L8 R
请教了公司中几位同事,他们都不太清楚为什么要这么处理,清楚的同行能否给讲讲?
& P3 \0 j& R0 Y, e: r# W, _9 [5 K* E
比较疑惑,到底是出于设计考虑还是生产加工方面的考虑。
& H3 x# C5 d% i: m! i2 ~7 g
1 F0 k/ C8 B  M7 g" |6 q1 e+ S多谢!

该用户从未签到

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发表于 2011-11-2 11:24 | 只看该作者
其实上面的表述有点片面,为避免金手指的区域刻蚀掉后使FR4的固化度不够,可能引起连接端子刮出粉末,所以一般内层会保留一些铜,或者采用GND shape或者阻流盘的形式,靠近板子中间的适当远离板边,靠外的近点,一般0.5足以;另外有提到焊盘下方挖空处理,一般也只是在有类似serdes等高速信号的时候才会出现,有点类似射频的走线,相邻层甚至几层挖空,并适当外扩,这样才能做到阻抗匹配,避免信号完整性问题,1G信号一下很少见到上面的处理,至少在华为跟中兴两家的板子上都是这么处理的

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2#
 楼主| 发表于 2011-10-27 17:56 | 只看该作者
顶起!

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3#
发表于 2011-10-27 18:05 | 只看该作者
金手指面积大,阻抗低,阻抗差异越大导致信号反射也越大,挖空与其相邻的平面能提升金手指的阻抗,不光是金手指,很多高速信号线焊盘连接处的参考面都是挖空的

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4#
发表于 2011-10-27 22:14 | 只看该作者
学习!

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5#
发表于 2011-10-28 08:51 | 只看该作者
很多高速信号线焊盘连接处的参考面都是挖空的; u9 h  i4 I" e5 L3 u* D& G, \, V

; v! y0 ^; H  |6 T; Z& h这个表达不准确,因该是相邻参考面挖空,选择更远的作为参考面,提高阻抗。
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-28 15:08
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    [LV.6]常住居民II

    6#
    发表于 2011-10-28 09:03 | 只看该作者
    版主还是很强大的,我知道是控制阻抗,但是具体的还是说不清楚

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    7#
    发表于 2011-10-28 10:12 | 只看该作者
    3楼的解释很好,5楼的补充也很好

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    8#
     楼主| 发表于 2011-10-28 12:21 | 只看该作者
    明白了,谢谢3楼及5楼的补充。

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    9#
    发表于 2011-10-28 13:03 | 只看该作者
    学习了

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    10#
    发表于 2011-10-29 14:33 | 只看该作者
    鼠标抖抖,金币到到手,手提酱油,低头猛走!

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    11#
    发表于 2011-10-29 20:27 | 只看该作者
    学习了

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2011-10-29 23:50 | 只看该作者
    菜鸟又长见识了,呵呵

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2011-10-31 23:01 | 只看该作者
    我想问一下,金手指下面是不是所有层都需要挖空啊,那样就没有参考平面了?
  • TA的每日心情
    开心
    2025-11-28 15:08
  • 签到天数: 114 天

    [LV.6]常住居民II

    14#
    发表于 2011-11-1 11:14 | 只看该作者
    本帖最后由 wpcgood 于 2011-11-1 11:14 编辑
    2 X( t7 o0 z& R  I7 \5 q, B
    dszfp 发表于 2011-10-31 23:01
    2 F3 Z! |4 b& Z- o  ?* ~/ w4 R我想问一下,金手指下面是不是所有层都需要挖空啊,那样就没有参考平面了?
    # Y6 u4 H! m* f+ ]9 E, h% c3 n
    3 K# f0 M- J# [) b4 d6 a
    我们的做法是金手指下边基本上没有参考,也就内层地可以稍微压上一点,内层电不铺上金手指

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2011-11-1 14:09 | 只看该作者
    学习
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