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Everspin代理并口mram存储器---MR1A16A

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发表于 2021-5-25 16:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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Everspin Technologies,Inc是设计制造MRAMSTT-MRAM的翘楚,其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合,在平面内和垂直磁隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。  ' Z* s0 A! k1 s1 N
  h' {) Q% S( w* M8 g
MR1A16A概述4 M" z* B& L0 c- u* w$ T" c  A! Y5 e
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram,组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序,具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据,以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用,MR1A16A是理想的存储器解决方案。
; `$ D1 @$ G7 ~6 |6 t' e6 B
( c5 n6 Z& [0 k2 ?, |MR1A16A提供小尺寸的48引脚(BGA)封装和44引脚薄型小外形封装(TSOP Type2)。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR1A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用(0至+70℃),工业(-40至+85℃),扩展(-40至+105℃)和AEC-Q1001级(-40至+125℃)工作温度范围选项。Everspin MR1A16A MRAM可替换赛普拉斯FM28V202A铁电FRAM。Everspin代理英尚微提供驱动例程等技术支持。# K/ r- }2 ~9 G2 ^0 ?1 `3 t

2 H7 f/ f9 j( h0 r, ]
: k' P' r: X$ c  p: {
. W/ B- N8 L0 c3 w. h* `8 w& L* C
MR1A16A引脚配置
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2 u# d4 L' f. o' a/ i4 ]! }& z& `
特征5 r/ r6 B: @, W  i; Y
•35ns的快速读/写周期
1 _& ~/ |8 ]7 U! g( H•SRAM兼容时序,无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
( R5 [' ?3 _" V1 g$ a! O•无限的读写耐力2 @6 I% d, _4 X  B1 H
•数据在超过20年的温度下保持非易失性4 h+ B+ v1 I1 u6 F( \# F. T2 Y8 `
•一个存储器替代了系统中的Flash,SRAM,EEPROM和BBSRAM,从而实现了更简单,更高效的设计
) X, ~! |* |4 K2 z8 ]* W' O•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案,以提高可靠性
1 `; |: D+ V# c1 l, x7 @9 R•3.3V电源* d: [4 \2 e, S9 x/ J
•断电时自动数据保护
+ v8 `7 m2 C; C  O/ ]# ]+ X: T5 T; H•商业,工业,扩展温度+ k# a9 w! l+ W# p( I. Z- V  @
•AEC-Q1001级选项! w( }4 y: |5 m6 Q, E$ V5 }+ B
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级* ]' x7 E: ]' }+ a% |0 f+ x1 y2 A" l
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装
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MR1A16A型号表1 q% W9 W! t1 e+ H# {

+ ^8 C' W6 n) x' c" d- e2 r
3 h7 g- q' Y# P' [9 D
DensityOrg.Part NumberPkg.VoltageTempMOQ(pcs) / Tray
2Mb
128K x 16
MR1A16AMA35
48-BGA
3.3v
Commercial
2000
2Mb
128Kx16
MR1A16AMA35
48-BGA
3.3v
Commercial
2000
2Mb
128Kx16
MR1A16AMA35R
48-BGA
3.3v
Commercial
2000
2Mb
128Kx16
MR1A16ACMA35
48-BGA
3.3v
Industrial
2000
2Mb
128Kx16
MR1A16ACMA35R
48-BGA
3.3v
Industrial
2000
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128Kx16
MR1A16AYS35
44-TSOP2
3.3v
Commercial
270
2Mb
128Kx16
MR1A16AYS35R
44-TSOP2
3.3v
Commercial
270
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128Kx16
MR1A16ACYS35
44-TSOP2
3.3v
Industrial
270
2Mb
128Kx16
MR1A16ACYS35R
44-TSOP2
3.3v
Industrial
270
2Mb
128Kx16
MR1A16AMYS35
44-TSOP2
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
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MR1A16AMYS35R
44-TSOP2
3.3v
AEC-Q100 Grade 1
270
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128Kx16
MR1A16AVYS35
44-TSOP2
3.3v
Extended
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MR1A16AVYS35R
44-TSOP2
3.3v
Extended
270
2Mb
128Kx16
MR1A16AVMA35
48-BGA
3.3v
Extended
2000
2Mb
128Kx16
MR1A16AVMA35R
48-BGA
3.3v
Extended
2000
* n8 i+ h2 {3 i- T1 N5 g* R$ D

2 X4 z1 l+ g8 ?! ]: @6 bMR1A16A规格书下载
( |# _' v/ x0 }* F; L* ^: f MR1A16A_Datasheet_Rev1.1_03102020_1 (1).pdf (1000.37 KB, 下载次数: 1)
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 楼主| 发表于 2021-5-25 16:16 | 只看该作者
MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram,组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序,具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据,以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用,MR1A16A是理想的存储器解决方案。

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 楼主| 发表于 2021-5-25 16:16 | 只看该作者
特征
. m8 n  Y5 i) V, v0 L+ ^6 j•35ns的快速读/写周期( _6 T2 X* M9 q  i- s* q. u1 {; A) v
•SRAM兼容时序,无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
2 _* U$ f5 L/ v•无限的读写耐力
  q+ r6 m% I& V•数据在超过20年的温度下保持非易失性  g9 C& D6 c6 Y5 n* J; M
•一个存储器替代了系统中的Flash,SRAM,EEPROM和BBSRAM,从而实现了更简单,更高效的设计0 o( M$ M* g/ L# Y2 L  E9 a/ T
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案,以提高可靠性
0 u% O0 D# q! E, B! ?•3.3V电源) N! [" j0 j7 Q& o5 O: u7 t) z
•断电时自动数据保护' x) `( {7 i, o6 b2 \
•商业,工业,扩展温度
+ t/ c1 x) C- ^" C1 |•AEC-Q1001级选项) b/ a3 o% w# z0 A/ L7 K! R: ^; ^
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
  g, h0 @: J7 U•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装# H+ C0 _( ?* t8 n- M+ Z' J
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