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温控电路(求解)

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-20 15:12
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    [LV.3]偶尔看看II

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    1#
    发表于 2020-9-26 16:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    + ^$ e& \/ @: ^3 H6 q" r
    图为两个温控电路,现在要合在一起,请问怎么接?我实在没思路了。。。3 y$ J' y* o; R' ^

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    电感计算.png

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    计算结果.png

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    0度关断.jpg

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    45度关断.png

    该用户从未签到

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    发表于 2020-9-30 08:14 | 只看该作者
    wanghairui168 发表于 2020-9-28 17:17" p* x: e( Y4 H0 x: c& j, M
    正反馈主要调哪些参数?Ib电流?还是?
    / r6 ^/ [& `) y
    用45度那个电路做个例子仿真,加与不加正反馈,控制特性有明显区别。仿真电路中,热敏电阻用一个时变电阻取代,专门考查它在2550欧至2850欧之间变化时电路输出电压随阻值的变化。可以看出,加了正反馈电阻,控制特性明显陡峭很多,控制徊差在170欧左右,相当于大约1.7度的温度差,不加正反馈电阻,控制徊差只有不到25欧,相当于大约0.25度的温度差。7 ?+ v& |; `& d$ j3 v
    : y# X  R9 ^$ M2 u  L

    " Z4 l  B( r' ]  W% }0 {4 [8 G- V& ?7 M, q6 I( ~
    ! ^' H3 ^; ?9 g; G& L9 s( z  Y" W

    & H8 n9 U; r# J* j6 a
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-20 15:12
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    [LV.3]偶尔看看II

    推荐
     楼主| 发表于 2020-9-26 16:53 | 只看该作者
    多了,其实只有0度和45度关断,这两个怎么在组成一个电路;
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-20 15:12
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
     楼主| 发表于 2020-9-26 17:26 | 只看该作者
    图太多了,怎么删除?
    5 r$ }& U, h  u7 v

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2020-9-27 02:13 | 只看该作者
    两个三极管叠放、共用一个MOSFET,就可实现双温限控制。见图。
    # G& [) Z: m# g# ?5 x# W% _7 ~& j  [* l9 H1 M2 w. k: S
    不过,你这个温控判断电路不具有徊差特性,在临界温度附近动作会很不稳定, MOSFET会进入高功耗线性工作状态,可能烧毁。建议增加两个正反馈电阻, R0,R45,建立徊差翻转特性。具体阻值自己计算或仿真,大概100K以上,几百K以内。% ^5 n* u3 Q, c' n' o7 o" G
    + t8 K* ~" I" v" d0 a) u0 V

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    点评

    [attachimg]289899[/attachimg] 非常感谢版主,EDA有你更美好! 请问您一下,正反馈的目的是取值给后极做为参考,这个计算的方式是?或者逻辑是?小弟不是电子专业的,正在努力学习中。  详情 回复 发表于 2020-9-28 00:52
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    开心
    2021-1-29 15:20
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    5#
    发表于 2020-9-27 08:36 | 只看该作者
    都是些高手,学习了。
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-20 15:12
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    6#
     楼主| 发表于 2020-9-28 00:52 | 只看该作者
    canatto 发表于 2020-9-27 02:13- x% `. d) [; X6 Z" v9 s
    两个三极管叠放、共用一个MOSFET,就可实现双温限控制。见图。$ k" A" ]( Y% R& _2 u( Q1 h$ i: v- j

    8 @. `2 m& [+ J1 O. b8 M4 [不过,你这个温控判断电路不具有徊差特性 ...

    3 |2 ~* t! W3 w* [, {
    5 l0 r/ F! n5 o非常感谢版主,EDA有你更美好!
    3 f* r/ z* A% \1 Q* S. W3 b, U3 ]( S, \& w7 `# u" {: r
    请问您一下,正反馈的目的是取值给后极做为参考,这个计算的方式是?或者逻辑是?小弟不是电子专业的,正在努力学习中。
    ; ]. Y& ]  y: @; G" V& q% G

    点评

    正反馈的作用是为了得到如图红线所示的输入输出特性。设计针对模拟量的通-断控制时,通常希望有一个反向死区,叫做徊差,图中46-44=2度就是徊差。这里44、46 只是个比方,可以自己根据需要另行设计。通常不希望电路  详情 回复 发表于 2020-9-28 03:15

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2020-9-28 03:15 | 只看该作者
    wanghairui168 发表于 2020-9-28 00:52
    8 r& M1 S; _! w; T非常感谢版主,EDA有你更美好!
    . o! d# U) b9 F) Y4 W- k9 [$ Z' N* D+ K0 s
    请问您一下,正反馈的目的是取值给后极做为参考,这个计算的方式是 ...
    4 y- W' _2 W8 D0 O7 P2 L' i
    正反馈的作用是为了得到如图红线所示的输入输出特性。设计针对模拟量的通-断控制时,通常希望有一个反向死区,叫做徊差,图中46-44=2度就是徊差。这里44、46 只是个比方,可以自己根据需要另行设计。通常不希望电路工作在橙色阴影区域、半通不断的会有许多麻烦。图中这个特性的意思是,当温度达到46度时MOSFET切断,一旦切断,只有当温度降低到44度才会再导通,一旦导通.....你就知道了吧?( p6 i$ \2 p! J  S
    如果没有R45,输入-输出特性会是一条通过坐标原点的斜直线,斜贯橙色阴影区。有了R45,输出电压Vout以正反馈方式参与决定三极管Q5的基极偏置电流,输入-输出特性就不再是一条线,而会变得趋近附图的特性。当然不会真的那么理想化。; V# I2 Q! L, _' s: S8 P
    对于非电子专业,可能最可行的办法是利用仿真软件设计,用试错法发现规律,在最短的时间内彻底理解电路工作原理。
    % K$ i( ]) `1 N! Y0 @3 j

    hesteresis_IO.png (20.03 KB, 下载次数: 15)

    hesteresis_IO.png
  • TA的每日心情
    慵懒
    2021-4-29 15:05
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    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2020-9-28 09:02 | 只看该作者
    这头像,看着有点吓人
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-20 15:12
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
     楼主| 发表于 2020-9-28 13:42 | 只看该作者
    。。版主,没有逻辑。。查了很多都是运放的,vout=vcc*(1+R1/R45)。。。
    ( i  b8 Q4 }, M/ A1 j1 Z9 ?试错的机率都没有
  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-20 15:12
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    10#
     楼主| 发表于 2020-9-28 17:17 | 只看该作者
    正反馈主要调哪些参数?Ib电流?还是?

    点评

    用45度那个电路做个例子仿真,加与不加正反馈,控制特性有明显区别。仿真电路中,热敏电阻用一个时变电阻取代,专门考查它在2550欧至2850欧之间变化时电路输出电压随阻值的变化。可以看出,加了正反馈电阻,控制特性  详情 回复 发表于 2020-9-30 08:14

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2020-9-29 11:02 | 只看该作者
    大家怎么看待这种WiFi信号增强器?哪位大神讲解一下这个电路原理图求解装了16.6再装17.2卡在configuring system请问,晶振下方走自身的信号线,会有问题吗?ADI出版的新概念晶体管大家可以学习一下,挺好的两本书电子工程师面试题,看看自己能打多少分?硬件设计必备——华为模拟电路设计(全)数字示波器使用FFT进行频谱分析的教学​Everspin MRAM MR25H40VDF替换富士通FRAM MB85RS4MT芯片型号求助!温控电路(求解)
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