MCM可分为三种基本类型： , b) f& m" S6 Q9 y% i MCM-L是采用片状多层基板的MCM。MCM-L技术本来是高端有高密度封装要求的PCB技术，适用于采用键合和FC工艺的MCM。MCM-L不适用有长期可靠性要求和使用环境温差大的场合。 " @% E# ?7 o6 r3 e/ k MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM。陶瓷基板的结构如2图所示。从模拟电路、数字电路、混合电路到微波器件，MCM-C适用于所有的应用。多层陶瓷基板中低温共烧陶瓷基板使用最多，其布线的线宽和布线节距从254微米直到75微米。0 m) c! ?" Y6 i b5 O
MCM-D是采用薄膜技术的MCM。MCM-D的基板由淀积的多层介质、金属层和基材组成。MCM-D的基材可以是硅、铝、氧化铝陶瓷或氮化铝。典型的线宽25微米，线中心距50微米。层间通道在10到50微米之间。低介电常数材料二氧化硅、聚酰亚胺或BCB常用作介质来分隔金属层，介质层要求薄，金属互连要求细小但仍要求适当的互连阻抗。图3是用硅做基材的MCM-D基板的剖面结构。
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发表于 2020-9-18 13:38
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