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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发供应链讨论 › 失效分析&可靠性 › 芯片失效分析里面的EIPD是什么意思？
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芯片失效分析里面的EIPD是什么意思？

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vicolery1
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-10-21 15:08

    • 签到天数: 37 天

    [LV.5]常住居民I
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    1#
    发表于 2020-4-29 11:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    芯片失效分析里面的EIPD是什么意思？: q$ }4 B% O8 N7 r, }
    2 |; j# q. C1 V
    - ~. M, K8 Q% w# ~4 O* N! A
    The returned unit was peRFormed FIB analysis at abnormal area, serious burnout as EIPD was observed.
    , N3 E9 L+ w- Q

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    wiusuiwj

    该用户从未签到
    2#
    发表于 2020-4-29 13:38 | 只看该作者
    EIPD就是electrically induced physical damage,也就是所谓的EOS，元件因为过载静电或者其他情况烧件损坏了

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    vicolery1
  • TA的每日心情
    无聊
    2025-10-21 15:08

    • 签到天数: 37 天

    [LV.5]常住居民I
    3#
     楼主| 发表于 2020-4-30 08:19 | 只看该作者
    wiusuiwj 发表于 2020-04-29 13:38:03
    + u5 `# J1 c* X8 R. E$ Z! ]: W6 u; v5 ~EIPD就是electrically induced physical damage,也就是所谓的EOS，元件因为过载静电或者其他情况烧件损坏了
    6 d  u2 m; \/ M/ r

    ' [. L8 y/ G. ~, p, M7 H. t知道了，谢谢！
    $ |& U# m2 e( Z4 n5 e0 A1 g4 c

    “来自电巢APP”

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