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摘要:随着无线通信的发展,人们对于通信技术的要求不断提高,希望无论在何
2 A! @* Y& n6 T5 I时何地都能够与任何人进行包括语音通话、数据交换和图像传输的通信。) x- u; L- k9 L7 q$ u
功率放大器是无线发射器中必不可少的组成部分,也是整个发射机中耗能最
3 w! T, g8 a. q1 g+ l多的部件,输出功率-般比较大。 射频功率放大器的主要作用就是放大射频信号,
$ j3 K9 T. s9 _以输出大功率为目的。射频信号功率的放大实质上是在输入射频信号的控制下将
" i, f1 [% A3 Y4 i0 Q, P6 Z" t, W, n电源直流功率转换为高频功率。相对于其它无线收发组件,大功率、高线性、高/ x/ P; t4 k. U: b: c) [& L
效率是功率放大器的基本设计要求。
% @5 D2 [+ O. w6 b4 o本文介绍了基于TSMC 0.18um CMOS工艺的功率放大器的设计,给出了仿真
4 [! u1 v! s9 v6 s8 G结果和版图设计。该电路采用两级放大结构,单端输入单端输出。第- -级采用共1 \0 [1 g+ i6 C: ^6 F- }+ q- X
源共栅放大电路,第二级采用差分放大电路,输出由一个平衡-不平衡电路转化为4 n! ]* Z7 f2 Y# V5 |1 g* t/ S
单端输出。在3.3v的供电电压下,最大输出功率为16.25dBm,增益为20dB,输; A3 N0 ]8 Q8 n8 B
入1dB压缩点位13dBm,带宽为1GHz-2GHz,满足设计指标要求。
C3 k9 \1 q9 |; X关键词: CMOS;功率放大器;射频集成电路
c4 L- M$ ^4 |* O0 q& m分类号: TN722.7
" D4 X* F) f) B% S: T9 N9 C3 K- q* l! j8 {+ n
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