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陶瓷电容失效分析

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  • TA的每日心情
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    2019-11-19 16:03
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-11-29 15:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成,失效形式为金属电极和陶介之间层错,电气表现为受外力(如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下)和温度冲击(如烙铁焊接)时电容时好时坏。
    . f) P5 Q  P0 O  j: f
    # z2 s" U  t2 m& u3 j多层片状陶介电容器具体不良可分为:! j0 ^) p5 R2 O% K7 P
    1、热击失效2 Y) R" e& e. c# U6 q4 ~: q
    2、扭曲破裂失效
    8 P  p/ A2 L% N3、原材失效三个大类
    % ?" n! _3 ~% I7 ?5 [# p
    4 s5 ?' L! [" G" m0 w% a/ R(1)热击失效模式:
    ! s+ \3 m( U" ]4 \' @$ Q9 |
    1 g, v- u# t3 D6 ~( [" u7 Q8 ]( g, G热击失效的原理是:在制造多层陶瓷电容时,使用各种兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象,这种破裂往往从结构最弱及机械结构最集中时发生,一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面处、产生最大机械张力的地方(一般在晶体最坚硬的四角),而热击则可能造成多种现象: 1 t$ a; u" [4 R! R) i( M

    , q  B& [  N) {: [% Y3 w
    ) w: w7 O- q; V$ Y: d
    ) j  I0 Q2 V% M: A5 r7 A第一种是显而易见的形如指甲狀或U-形的裂縫
    * m9 r" J, ^" g& a1 A
    3 w, \# Y1 P$ d* u  G! v" b' p6 p第二种是隐藏在内的微小裂缝4 |# Z, d  u, J
    ; t6 U$ F) F; x* ~* t; c1 ~
    第二种裂缝也会由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部开始,并随温度的转变,或于组装进行时,顺着扭曲而蔓延开来(见图4)。
    ) U- u3 B8 }* ^ , M/ i0 Y3 S3 M6 s

    4 i8 N" \0 \2 Y. b( X: u第一种形如指甲狀或U-形的裂縫和第二种隐藏在内的微小裂缝,两者的区别只是后者所受的张力较小,而引致的裂缝也较轻微。第一种引起的破裂明显,一般可以在金相中测出,第二种只有在发展到一定程度后金相才可测。
      S. T% y" p3 l; U$ D6 ?9 P3 e' y0 G, r; ]2 N" Y' W/ |, K

    5 n2 Z* e, b& r" Y1 [" M' X! q: g* P2 l3 {% P4 }% [
    (2)扭曲破裂失效
    0 T5 g$ Q- b! K! D此种不良的可能性很多:按大类及表现可以分为两种:" V2 M/ l' D% W+ s! O9 k4 R9 U

    " e; Z$ W  c7 X/ G) G7 ]第一种情况、SMT阶段导致的破裂失效/ t: |+ O) l+ a: b4 L0 _2 S! Y
    % `$ {+ o' H3 n0 ^
    当进行零件的取放尤其是SMT阶段零件取放时,取放的定中爪因为磨损、对位不准确,倾斜等造成的。由定中爪集中起来的压力,会造成很大的压力或切断率,继而形成破裂点。: y9 t2 s! C8 Z+ R& t+ }& l" S
    这些破裂现象一般为可见的表面裂缝,或2至3个电极间的内部破裂;表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。2 t6 A0 }$ M' S8 V3 p

      j7 [4 U1 i, }真空检拾头导致的损坏或破裂﹐一般会在芯片的表面形成一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。" I3 W7 F- D2 |2 _. \. t/ L
    另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件中央的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容器的底部破损。
    # Z# b- \' c+ U9 k- F# e1 P8 z# f- S# E4 J; }% _
    % Y9 F6 S' Q3 Z& T& p

    0 k; D* N! g- H) K5 [8 s. D: ]第二种、SMT之后生产阶段导致的破裂失效( D$ e+ j* m0 ]" V

    ) E9 Y+ q( S/ o6 v6 Z/ Z3 Z: T# c
    9 S: c& X) P8 F' O9 V1 @电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及最后组装时,若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直,都有可能造成‘扭曲破裂’这类的损坏。% J8 ~- h4 N! L( a0 n- I
    0 o6 G6 [5 A; E8 P9 _

    # m$ N& x% M( V在机械力作用下板材弯曲变形时,陶瓷的活动范围受端位及焊点限制,破裂就会在陶瓷的端接界面处形成,这种破裂会从形成的位置开始,从45°角向端接蔓延开来。
    3 V2 R: E3 e2 b' N, p ! U! t$ f4 ^: D6 {% R
    * g9 f" E* U9 E1 X# H7 \7 ^6 j6 s% u
    (3)原材失效8 p% E, t3 N' h, `2 e6 N5 h
    多层陶瓷电容器通常具有2大类类足以损害产品可靠性的基本可见内部缺陷:8 H+ Q0 j: U7 T1 D* i# Q, F

    5 @8 d' Z$ q: Y. q% K1 a! j5 d+ v% U4 x: R- F' J6 C' l6 x
    电极间失效及结合线破裂燃烧破裂。' E8 s2 w# d8 u* b3 H
    这些缺陷都会造成电流过量,因而损害到组件的可靠性,详细说明如下:% g# w/ t  N3 @' y
    1、电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙,或电介质层与相对电极间存在的空隙引起,使电极间是电介质层裂开,成为潜伏性的漏电危机;9 T* W2 Z8 X! C: V: {9 y
    2、燃烧破裂的特性与电极垂直,且一般源自电极边缘或终端。假如显示出破裂是垂直的话,则它们应是由燃烧所引起;
    6 }4 S- i& L, p# ^0 j! h' O9 x% m" k' p& n, e2 N
    备注:原材失效类中第一种失效因平行电容内部层结构分离程度不易测出,第三种垂直结构金相则能保证测出4 q; B7 Y% F3 V  f5 C3 ?4 k) C# V

    . K# U1 m3 y  V7 d+ x1 C
    $ U$ {1 r; Y, b8 @: _: r结论:
    ( ~5 P$ I& x/ b7 f! J由热击所造成的破裂会由表面蔓延至组件内部,而过大的机械性张力所引起的损害,则可由组件表面或内部形成,这些破损均会以近乎45°角的方向蔓延,至于原材失效,则会带来与内部电极垂直或平行的破裂。
    6 C4 I: n! g5 q' X: k另外:热击破裂一般由一个端接蔓延至另一个端接﹐由取放机造成的破裂﹐则在端接下面出现多个破裂点﹐而因电路板扭曲而造成的损坏﹐通常则只有一个破裂点。

    . }5 ~: u- S, ^0 F; S

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2019-11-29 15:49 | 只看该作者
    很少见的陶瓷电容资料,不错
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