|
|
其实你可以打开一个ibis模型
) u' ]8 {% \- s( d查看一个IO buffer的[Ramp]波形
4 u/ j/ I |+ `1 b- U |8 c你会发现有三个波形,对应这里的Typ、min、max5 l5 m5 e% ^( H/ R3 d2 {
它的dV值是不同的,因为三根曲线的幅值就不同$ Y3 h7 k" L6 ~
所以它的20%~80%电压就不同# k& D; E6 q" h! D
当然三根曲线的斜率也不同) r) K* Y! d8 {$ F* `
袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]() 6 H# z: ] K* E) V# m8 U
谢谢这位兄弟,我对这个参数是这样理解,不知对不对
% A% x" z& q4 X F( E从[Ramp]参数可以得到四个信息:tr(20%-80%);压摆率;输出电压稳态值;buffer的输出阻抗信息。1 c8 t/ |# i9 C1 M6 l
buffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压,因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同,因此稳态值也不同,从而dV=(20%-80%)*稳态值也不同。& o, C$ c0 h8 k/ K
这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。 d3 Y$ k8 ]) j C$ t/ x: X F" M
/ H& ?' u6 G; p8 Y+ s; e
下面是IBIS spec中[Ramp]的说明,
2 F& v# g5 Z. n- y& C2 z4 M4 @
0 [; l9 {0 q Z' W' rKeyword: [Ramp] d( E- G3 r% o3 w' C3 h$ H, P
=======================================================
: x5 d2 R& Z9 k% }# E \6 q& Z| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch
! C# m- q! g/ h4 c: a: a. B- w| model types" i* i; i. B5 F4 e! e8 E
| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate
3 P) U/ S. H& F8 l7 n0 v2 c& d| does not include packaging but does include the effects of the
b& U* K+ k: L, J- m* K| C_comp or C_comp_* parameters.9 _! Q% j2 w) i2 D! w! @) y& V" W
| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load
" w& [% f; k& H6 r| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the3 G4 y) P i l9 [/ N6 z( ^
| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp
" t1 ]- f4 l/ Y7 t7 K" t; c! F| rate is defined as:( g9 ^1 l! c+ h- j$ @ P* I; I/ z
|2 F5 b L: v" g: A# Y
| dV 20% to 80% voltage swing& v5 E7 k9 T0 o' F/ a: O) K) V
| -- = ----------------------------------------; `9 d6 N @8 B" [) N3 k9 T' N
| dt Time it takes to swing the above voltage |
|