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大神带你实战运算放大器设计
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4 _- S- y9 G2 G' c8 | 本文主要讲了一下关于运算放大器设计的一些知识,希望对你的学习有所帮助。
+ S) u: e/ S* j) q7 y Q1:OPA内部是怎样构成的?! S. N; {2 m! ]7 f' T+ @/ Z- ~
“就是一堆晶体管”
' B/ e4 ?& J3 y1 A& q - 包含输入级,中间放大级和输出级。基于应用的话,不用特别关注内部的结构。
- t; ? d9 p, q* q3 o - 同相端和反相端输入地方有等效二极管,就是所谓的ESD保护。一般运放内部都会做。输出端也有。但是因为做在芯片内部,所以能力有限,即最大通过瞬间电流有限。
: Y6 O! y6 i/ f3 n 提示:芯片级的ESD等级和产品级的ESD等级完全是两码事,遵循的不是一个规范。
. o; S) ^$ `% f. t9 h 芯片规格书上,ESD指标虽然写着2kV ,应用到实际产品上,如果打2kV静电上去,是无法承受的。产品ESD遵循的是IEC61340的标准。所以,设计过程中,想要通过选择自身ESD高的芯片去防止浪涌,是不可取的。
: h! u6 t* i" J K; C, m 所以一般芯片,用静电枪直接打管脚,能承受400v静电的已经算顶尖芯片了。有的芯片会直接标机器模式,通常就是400v和200v这样的值了。
W7 i' L& I! |. ~ Q2:OPA常用封装有哪些?9 {4 W8 v* q: j$ p* |3 ~
常见1/2/4路,常用封装基本都兼容。
/ ^9 f0 c- ]7 Z: J( Y1 \. P4 j& S 小提示:设计时候尽量选通用封装,否则很容易是Single Source(独一物料,市面上没有兼容的),结果就是被供应商绑架。
4 c# y2 L8 o% i: _5 |- p 日系的很多封装尺寸很怪异。跟欧美系的很多封装不一样。所以选日系芯片的时候,留个心眼,一不小心,就是single source了。
/ C. \( {( D1 R+ `6 Q4 m Q3:OPA都有哪些作用?6 S7 J1 n% W+ P) M/ M7 q0 c
放大小信号(或缩小大信号)- f% J, t! U7 k: o) L8 k
阻抗匹配
% v) {- d; W: F) K- |% S 信号隔离:例如跟随放大器: ]9 F1 x4 }4 `5 {; ^
滤波(低通,高通,带通滤波等):一阶滤波用的比较多,提示,网上小工具可以用来计算参数。" d3 O1 u! h) x o' j( u8 ~9 O& s
驱动:可以驱动音响,驱动视频设备伽马线,这些应用都要求瞬间输出电流很大。
' E. J6 @7 B0 j+ h+ y -运放驱动长线:线约长,分布电容越大,运放驱动容性负载,会产生震荡/ v0 t5 W2 |9 |9 D; o2 b
做小功率电源
6 U/ U: ~+ ]; a. M -一般运放输出20-30mA,跟I/O口差不多。4 I% y- R+ u7 U1 t
-有些特殊运放能够输出1-2A比较大电流的,可以当做小功率电源用,很干净。但是不能做基准源,因为精度不够。" g/ ] _) \: J8 e5 a9 r
Q4:OPA怎样供电?
6 Y# F0 |' ^' @$ F - 引用业内资深专家:如果一个运放都不舍得用LDO供电,还指望谈稳定性?
' u1 p: `$ [% r# J* ] h+ v& m/ q a - DCDC都不可以,最好尽量是LDO,最次也得7805。) Z4 n; H' P6 u4 r0 a6 z. E% d; ]
Q5:OPA都有哪些类型?
+ z6 j2 n& ?$ n3 [! g 超低功耗运放(Nano Power OPA):几百nA2 k5 p" S3 n& c% N
低功耗运放(Micro Power OPA):5 A4 j6 s6 W" c! K. k
高速运放(High Speed OPA):重点两个参数:增益带宽积(GBP)和压摆率(SR)
# S* |9 j4 [* Q# o" f 高精度运放(High Precision OPA):重点两个参数:Vos失调电压(低于采样电压的一半),温漂
/ T* o2 s x, X 低噪声运放(Low Noise OPA):常用于脑电波,心率,脉搏等小信号采集
* T: z! [0 l `2 B! _ 差分放大器(Fully Differential OPA):输入共模抑制比足够大(有人拿高精度运放当做差分放大器,为了节省成本,但是效果不行。)/ {7 w( @+ U) I0 B% k% Q
功率放大器(Power OPA):功放驱动+ o) l ~# M8 `8 U- S
音频放大器(Audio OPA):8 Q2 o7 }# ~6 L
仪表放大器(Instrumentation OPA):共模抑制比很高。配合专门电路,能够有效去除共模干扰。
1 k* b8 e9 g) {/ t1 e1 D6 g 其他专用型放大器3 Y9 p! A- b0 f: @1 W' o
Q6:OPA常用的参数有哪些?3 Q+ u4 R/ M& W. X
输入失调电压(Input Offset Voltage) Vos- o4 \* |0 T7 M5 |9 W- q. f! m
输入失调电压的温漂(Offset Voltage Drift):对Vos的补充: s4 v0 v" ~9 [+ C; S" @9 I) L
输入偏执电流(Input Bias Current)IB:% r: V- f Q2 o( Q, D0 r* X
输入失调电流(Input Offset Current)Ios:是IB的补充
2 F; x9 ~7 N9 L0 G! |+ p 共模电压输入范围(Input Common-Mode Voltage Range)Vcm:运放在某个供电下,同相端和反相端给到的最大信号范围。+ Q; e; Y7 [1 {% L7 l
输出特性(Output Characteristic)
, Z' E! Y; J% L" |! d; X. W+ x8 \5 K 输出电流限制(Output Current Limit):关注这个参数,主要因为,有些应用要求输出电流尽量大,比如输出线很长(跳线连接两个系统)或者 负载输入阻抗很小。
3 B2 X) j# b$ @- C, j 小提示:如果用长线链接两个系统,输出要串个电阻:1)来限流。2)防止热插拔瞬间的浪涌。. T* c2 q R) t P2 `% Y3 I' I
ESD和浪涌的区别。* b6 U* m9 v* N1 Y
1) 浪涌持续的是毫秒级,ESD静电只持续微秒或者纳秒级别。. H. @8 T# d# ], |' r, Y
2) 浪涌一般示波器可以抓下来。ESD静电一般示波器是看不到的。
/ Z! |% C3 Z( X. v. { 工作电压范围 VDD
0 ?. t5 }6 C2 ~6 z& z/ a' x: N' n1 Y 静态工作电流(Quiescent Current)Iq
) l4 e3 M: n, {8 N1 V& k 增益带宽积(Gain Bandwidth Product)GBP:对交流信号非常重要 ,直流信号可以不用关注太多。; F7 e" g# x! `2 R5 W6 E7 _; u9 c
压摆率(Slew Rate)SR:GBP大,意味着SR大;SR值用来反映跳变沿快慢的。
0 s+ E7 _$ S9 b( P& u 开环增益(Open-Loop Voltage Gain)Aol:常见120db;这个值越大,留给设计放大倍数的余量越大。也是交流特性,跟频率密切相关。
5 {: O2 E0 U" z! w 电压噪声密度(Voltage Noise Density)en:
, H( e3 l0 `5 \! w# r2 B" c 相位裕度(Phase Margin):越大越好,越稳定: h6 C: f- q w3 d
共模信号抑制比(Common Mode Rejection):反映了对共模干扰信号的抑制能力,值越大越好。4 [& Q) e$ n- M9 @: w$ \
电源纹波抑制比(Supply Voltage Rejection):反映了对供电端噪声的抑制能力,值越大越好。
$ [/ `& [, h) F; E/ x, C" I6 | Q7:三极管放大能代替运放放大吗?
3 V- X, a: E" M: @# T0 @ Yes:运放内部本身就是一堆晶体管的集成,音乐发烧友所推崇的所谓“胆机”,很多就是用分立的晶体管、电子管所设计。* j% e# G0 z7 }7 ^5 a6 T
No:但是三极管参数一致性差,放大电路批量生产良率低,需要微调参数,生产工艺麻烦。
* K, S s. t1 V3 Y' P/ ^ Q8:什么是轨至轨运放?( X- g! W# t" L. }: c
轨(Rail)指的是供电电压
/ R+ v/ S6 @( _, |6 v k 共模输入电压(Common Mode Input Voltage)范围“包含(超过一点)”供电电压,即所谓轨至轨输入。4 `) i4 h3 J" [' @% u4 K$ ^. L
输出电压范围“包含(几乎达到)”供电电压,即所谓轨至轨输出。
0 c! t1 y0 Z9 H C# O Q9:运放可以用作比较器么?
8 s Z; P5 r" p0 o Yes:
$ ~7 a) D& ^, V. F4 L! D+ P 大部分运放是可以再开环下工作的
) g. I2 r% }6 n* F No:
( |* h( s* ~7 X -有一些运放的同相输入与反相输入之间有嵌位二极管(差分二极管保护),用作比较器时(压差超过0.7v)会导致其中一个嵌位二极管导通,(如果源输入阻抗很低,可以供的电流很大)从而有大电流流过,甚至烧坏芯片。
; C4 x7 n7 C3 y I& _ (看差模输入电压范围,这个参数大,说明没有嵌位二极管。可以用。)
* x3 I6 o; L3 Y. } } -反应速度慢,即使高速运放,也不够快。
% @, ?# Q7 a% ^6 J# ^1 T4 N" n -稳定性不佳,过载饱和时恢复时间长。
2 [) ~; f# H; J* z8 o - 输出无法真正到轨: k( [6 O; g! J$ Q2 _( l
输入级由于补偿电路作用,可以超过供电轨,但是输出级由于晶体管的导通内阻,无法真正到轨,会有几mV~几十mV的差距。6 o8 l/ k! V( z9 W& ]1 ]' _# o6 ~% O
- 输出误差和带负载阻抗相关:负载大,输出小,负载很重,输出到电源轨的差距就很大
# b5 c4 h* j# ^" v* u: q5 \/ D Q10:怎样选择合适的运放?( V; A! y G4 l% C
直流信号:
+ F+ ?0 B1 p1 |7 G7 N - 确定信号具体特性:信号范围,精度。确定好这些参数,甚至就可以直接联系FAE来帮助选型。0 H9 `& `6 d, }4 c3 R: o
- 输入失调电压(Vos):根据信号最小值,来决定,通常取最小信号值的二分之一以内。例如,最小信号值是1mV,那就需要尽量选择Vos在0.5mV以内的。所有的运放都会给出该参数。着重看最大值,而不是典型值。* |7 l1 I L* ]4 F# C
- 温漂:看产品输出地点,环境温度可能不同。" S+ M$ U. F. w0 d# E
- 输入失调电流:如果传感器带载能力很差,即输出阻抗很高,输出电流小。对运放的输出失调电流就有要求了,要求输入运放的电流小,这样对原信号的分压就小。
! j) F( Q3 d5 I' O/ O - 耗电要求 h* \ t+ }& H
- 工作电压范围
6 D0 h% ~8 _+ O; q) r% K8 ^ - 输入输出特性: 是否轨对轨的?还是非轨对轨。
7 R; y) w& M& g# M* k0 W( _ 交流信号
' a9 p$ D( b+ X1 _0 K8 K -交流信号的具体特性1 @0 _9 h1 u) [; t& \3 E" |$ j" N
-增益带宽:待处理信号频率X放大倍数 X系数(一般取5-10)<=运放带宽5 L6 Z5 [4 R" \+ u' s4 D0 Z
-开关增益
8 r1 W8 ], r5 g" `0 q0 q -电压噪声密度
3 x" U( j9 v, v) s1 O2 w& F2 z/ b, Q -耗电要求. z2 b$ `! [9 s! V
-工作电压$ |7 l6 j* ~/ R" h$ j& i/ @
-输入输出特性
6 N0 i7 N+ N0 l1 ?$ m( \! v3 c, `1 o# p) b( v' I3 I: Y7 o
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