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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:23 编辑 1 f1 N* ^1 D- f F& M: W
3 P& O1 S8 f! K1 P* i7 m目录- U2 P6 j" R, h! t3 S' T
1、DDR4 关键技术- W# B. v/ Q' T* t2 z' f! b
1.1、DDR4与DDR3 不同之处
- C! f `- }0 M+ l4 ^1.2、POD 和 SSTL 的比较
8 S* H( b) Z# Y; q6 @$ @. E6 B1.3、数据总线倒置 (DBI)/ V) e, \, D( t* o" V! X, E( A6 f
1.4、ODT 控制; h5 f$ S0 c0 g0 V1 H' @. c
1.5、参考电压 Vref
m- V! r. W7 n- _2、DDR4 Layout Routing 新方法& X/ @- g$ L* r5 e) R0 d$ _
2.1、DDR4 信号组
8 b0 V1 d7 @" l3 W2.2、DDR 信号等长约束/ F" l: _, G) R3 z- ?/ P( f4 z: E
3、DDR4 Simulation @9 X. \0 w$ L; N, F
3.1、Pre-Simulation with HyperLynx
1 N& z( T9 Y6 A) a1 `. k! S3.1.1、ADD/CMD/CTRL终端电阻取值& {7 o) _, l8 a) C
3.1.2、Data信号Stub的长度
% a& N! q% g$ R; s& h3.2、Intel SISTAI仿真3 F9 z: H& ^9 \# g e# ^
3.2.1、DDR通道建模2 b( N2 @' u7 r1 w- y( @# `
3.2.2、Hspice仿真
8 ^2 e; Y! |/ b8 v$ [3.2.3、SISTAI仿真5 o# {* N1 S2 n! @ y$ B4 ^8 v
4、DDR4 RMT Margin 测试 Fail 问题实例
2 e7 Q X( x6 s6 i0 ~ k4.1、设计情况/ V9 T8 y9 [( p ]
4.2、问题描述
: W3 y( k: N! M4.3、Memory Margin Test
: y$ b# W1 [; w. J4.4、问题分析2 [: B( A( p% \
4.4.1、Micron 8G 本体分析4 F$ o' d( J: a& |* E( j: i+ \
4.4.2、通过Simulation来分析问题
% \* n# }! ]8 L# ?8 C5、小结
. B% i% C& x9 ~5 H! t9 d7 ^, Q
9 O: R J9 S+ b! s+ x参考链接：' O8 \) Q3 \. J1 P# `. K
( j2 \% ^/ R" W8 O. C$ c
DDR4关键技术、PCB设计、仿真分析和问题处理
3 N2 b5 g. ?( J# A1 @+ w+ y
- [: G5 o: ^' y" p! F& R1 e6 Z1 M/ |+ n# F0 B& r5 W, y8 X
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发表于 2020-8-30 20:57
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